1月1 3日，记者从西安电子科技大学获悉： 该校郝跃院士团队打破了20年的半导 体材料技术瓶颈，让芯片散热效率与综合性能得到了飞跃性提升 ，为解决各类半导 体材料高质量集成提供了可复制的中国范式。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自 然·通讯》和《科学·进展》上。 该论文入选 S c i e n c e A d v a n c e s 封面论文之一 "目前市面上最常见的射频半导体芯片是第三代氮化镓半导体芯片，而该类芯片散热 主要由芯片晶体的成核层决定。在我们科研突破之前，这类芯片晶体的成核层都是凹凸 不平的，这样崎岖的表面不利于芯片散热，甚至造成散热时的热量'堵塞'。"西安电子科 技大学副校长、教授张进成解释，"热量散不出去，就会囤积在芯片内部，最终导致性能 下降甚至器件烧毁。" 此次团队创新性地在第三代半导体芯片晶体上注入高能离子，让晶体成核层崎岖的 表面变得平整光滑。 这一突破将半导体的热阻降低至原来的三分之一，解决了第三代乃 至未来半导体芯片面临的共性散热难题。 同时，该项突破让半导体器件性能大幅提升。基于这项创新技术，研究团队制备出 的 氮 化 镓 微 波 功 率 器 件 ， 单 位 面 积 功 率 较 ...