如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 印度电子和信息技术部长阿什维尼·瓦伊什纳乌在与受设计关联激励计划 (DLI) 支持的初创企业交 流时表示，印度正着眼于在 2030 年代初制造 3 纳米芯片，并最终实现 2 纳米芯片的制造，这是 其半导体发展下一阶段的一部分。 瓦伊什纳在概述政府的长期发展路线图时表示，到2029年，印度将具备设计和制造用于国内近70- 75%应用领域的芯片的能力。"下一个里程碑应该是在2032年，届时我们将实现3纳米芯片的制 造，"他说道。 根据将整合到 Semicon 2.0 中的 DLI 2.0，政府的支持将集中在六大核心芯片类别：计算、射频 (RF)、网络、电源管理、传感器和存储器。"有了这六大芯片，我们就能构建任何大型系统——无 论是用于国防、导弹、铁路还是汽车，"Vaishnaw 说。 部长还表示，180 纳米等成熟节点的流片设施将设在莫哈利的半导体实验室 (SCL)，而低至 28 纳 米的先进节点将通过即将在多莱拉建成的塔塔半导体工厂提供支持。 他指出，DLI 1.0 下初创企业的意见将直接影响下一阶段计划的设计，包括决定哪些领域值得继续 支持，哪些领域不值得继续支持。 ...