后摩尔时代芯片
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再破核心技术难题,二维半导体量产迎来关键进展
Xuan Gu Bao· 2026-02-02 15:16
公司方面,据中证报表示,主要有:南大光电、德尔未来等。 *免责声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议 据中证报报道,南京大学-苏州实验室王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作,开发了全新的 氧辅助金属有机化学气相沉积(oxy-MOCVD)技术,解决了二维半导体量产化制备的动力学瓶颈。团 队在制备二维半导体的过程中创新设计材料生长结构,使前驱物反应速率提升约1000倍以上。该成果团 队2025年发表的"点石成晶"技术共同构建了"衬底工程 + 动力学调控"完整技术路线,为二维半导体量产 化提供核心支撑,为我国在下一代半导体技术竞争中构筑核心优势。 中证报指出,面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战,具有原子级厚度的二维半导体是目前国际公认 的破局关键。二维半导体是当前半导体技术领域的前沿方向,其核心优势在于原子级厚度(单层或几层 原子构成),可突破硅基材料的物理极限,为后摩尔时代芯片发展提供新路径。二维-硅基混合架构闪 存芯片技术有望颠覆传统存储器体系,让通用型存储器取代多级分层存储架构,为人工智能、大数据等 前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑,让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。 *风险提示:股市有风险 ...