随着人工智能数据中心、电动汽车和其他高能耗应用领域对能源需求的激增，安森美半导体推出了垂 直氮化镓(vGaN) 功率半导体，为这些应用领域的功率密度、效率和耐用性树立了新的标杆。这些突 破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体采用垂直导电方式，电流可垂直流经化合物半导体，从而实 现更高的工作电压和更快的开关频率，最终实现节能，并为人工智能数据中心、电动汽车、可再生能 源以及航空航天、国防和安全等领域打造更小巧、更轻便的系统。 据介绍，安森美半导体（Onsemi）的vGaN技术是一项突破性的功率半导体技术，为人工智能和电气 化时代树立了效率、功率密度和耐用性的新标杆。该技术由安森美半导体位于纽约州锡拉丘兹的晶圆 厂研发和制造，安森美半导体拥有超过130项全球专利，涵盖垂直GaN技术的一系列基础工艺、器件 设计、制造和系统创新。 "垂直氮化镓技术将彻底改变行业格局，巩固安森美半导体在能效和创新领域的领先地位。随着电气 化和人工智能重塑各行各业，能效已成为衡量进步的新标杆。将垂直氮化镓技术纳入我们的功率产品 组合，为客户提供了实现卓越性能的终极工具。凭借这一突破，安森美半导体正在引领未来，在这个 未来，能效和 ...