在≤5E-6Pa的超高真空度下，通过粒子束轰击晶圆表面，有效去除自然氧化层与污染物，实现晶圆 表面的原子级洁净与活化，为后续键合创造理想条件。 2. 常温下的精密对准与键合 在追求更高性能与能效的半导体行业中，第三代半导体材料（如SiC、GaN）的异质集成 与先进封装已成为延续摩尔定律的关键路径。然而，传统键合工艺中的高温环节长期制约 着该领域的技术突破——高温不仅导致材料热应力损伤与界面氧化，更从根本上限制了对 温度敏感材料体系的可靠集成。 面对这一严峻挑战，行业该如何破局？以青禾晶元为代表的技术厂商，凭借其已通过量产 验证的全自动超高真空常温键合设备与成熟工艺，给出了答案：即以"超高真空+表面活化 +常温键合"为核心的完整解决方案，为行业突破热敏感材料集成瓶颈提供了可靠的技术路 径。 技术解析： 常温键合如何实现可靠连接？ 该技术的核心， 是在常温环境下实现晶圆间高强度、高洁净的结合， 其流程主要分为两个关键步 骤： 1. 超高真空环境下的表面活化 应用实证： 从GeOI到5G滤波器的成功实践 在常温条件下，将两片活化晶圆精密对准并施加可控压力，促使表面原子间直接形成强化学键，从 而实现无需加热的原子级结 ...