近年来，氧化物半导体作为下一代存储架构的潜力材料受到广泛关注，其关键优势在于可实现与后端互连工艺（BEOL） 兼容的逻辑与存储器件。本文报道了基于氧化物半导体沟道的 BEOL 存储器件在近期取得的进展与面临的挑战，包括类 DRAM 的 1T-1C 存储单元、无电容增益单元以及非易失性铁电场效应晶体管（Ferroelectric FET）。文章分析了氧化物沟道 的关键特性，重点关注在材料与器件工艺技术方面的进展，这些进展有助于提升存储器的核心指标，如耐久性、数据保持 特性以及可扩展性。这些研究结果为优化基于氧化物半导体的存储器件、以满足下一代应用需求，提供了有价值的参考。 近期，在先进逻辑平台上展示了一种采用 n 型氧化物半导体晶体管的 1T-1C 存储芯片，其在制造工艺与晶圆厂兼容性方面 表现出高度成熟性，并实现了优异的性能（见图 1(a)）。该芯片在 0.75 V 的 VDD 条件下实现了 8 ns 的随机周期时间和 128 ms 的保持时间，并在 85 ℃ 条件下展现出多年级别的可靠性（见图 1(b)）。整个存储单元阵列以 COP 结构单片集成在 CMOS 外围电路之上，通过最小化信号传播距离，在密度扩展 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 近年来，氧化物半导体作为下一代存储架构的潜力材料受到广泛关注，其关键优势在于可实 现与后端互连工艺（BEOL）兼容的逻辑与存储器件。本文报道了基于氧化物半导体沟道的 BEOL 存储器件在近期取得的进展与面临的挑战，包括类 DRAM 的 1T-1C 存储单元、无电 容增益单元以及非易失性铁电场效应晶体管（Ferroelectric FET）。文章分析了氧化物沟道 的关键特性，重点关注在材料与器件工艺技术方面的进展，这些进展有助于提升存储器的核 心指标，如耐久性、数据保持特性以及可扩展性。这些研究结果为优化基于氧化物半导体的 存储器件、以满足下一代应用需求，提供了有价值的参考。 引言 生成式人工智能应用（如大语言模型，LLMs）的迅速普及，引发了向以数据为中心的计算范式转变， 并对新型存储技术提出了前所未有的需求。这些存储技术必须具备更高的容量和带宽，并在能效方面 表现更优，以支撑日益复杂的工作负载。为应对这些挑战，氧化物半导体（OS）沟道材料正成为创新 型存储单元设计的重要候选。这类设计旨在与现有存储解决方案（如 SRAM、DRAM）形成互补，通 过实现与 BEO ...