公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅 为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突 破1000公里、800V高压快充成为标配，碳化硅功率半导体的革命正在加速到来。而更高的功率 密度、更优的散热能力、更强的可靠性以及更高的工作温度范围等严苛要求，让传统的焊料封装 与连接技术在新的技术时代，正在被高性能、高可靠性的烧结银封装与连接技术快速取代。烧结 银技术也成为了碳化硅等第三代功率半导体芯片与模组封装的首选材料。 图源：帝科湃泰 1 烧结银技术概述 碳化硅和氮化镓的应用领域 烧结银的概念 烧结银技术，是一种新型无铅化芯片互连技术。该技术主要是对微米级及以下的银颗粒在300℃以下 进行烧结，通过原子间的扩散作用实现良好连接，从而在低温烧结（<250 ℃ ）条件下获得耐高温 （>700℃）和高导热（>200W/m.K）的烧结银芯片连接界面。 技术发展历程 烧结银技术原理 原子扩散是烧结银技术实现良好连接的核心机制。在低温烧结过程中，银颗粒表面的原子具有较高的 活性，由于表面自由能的驱 ...