碳化硅功率半导体

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碳化硅功率半导体革命的加速器:国产烧结银崛起
半导体行业观察· 2025-06-13 00:46
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 从电动汽车的高效驱动系统,到光伏发电中的逆变器,再到5G通讯的核心射频模块,以碳化硅 为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突 破1000公里、800V高压快充成为标配,碳化硅功率半导体的革命正在加速到来。而更高的功率 密度、更优的散热能力、更强的可靠性以及更高的工作温度范围等严苛要求,让传统的焊料封装 与连接技术在新的技术时代,正在被高性能、高可靠性的烧结银封装与连接技术快速取代。烧结 银技术也成为了碳化硅等第三代功率半导体芯片与模组封装的首选材料。 图源:帝科湃泰 1 烧结银技术概述 碳化硅和氮化镓的应用领域 烧结银的概念 烧结银技术,是一种新型无铅化芯片互连技术。该技术主要是对微米级及以下的银颗粒在300℃以下 进行烧结,通过原子间的扩散作用实现良好连接,从而在低温烧结(<250 ℃ )条件下获得耐高温 (>700℃)和高导热(>200W/m.K)的烧结银芯片连接界面。 技术发展历程 烧结银技术原理 原子扩散是烧结银技术实现良好连接的核心机制。在低温烧结过程中,银颗粒表面的原子具有较高的 活性,由于表面自由能的驱 ...
全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起
Sou Hu Cai Jing· 2025-05-21 06:06
技术迭代停滞与成本失控 长期依赖6英寸晶圆技术,8英寸量产计划因良率不足陷入僵局,而中国天科合达、烁科晶体等企业已实现8英寸衬底小批量出货,良率突破。更致命的是, 中国通过工艺创新将6英寸衬底价格压低至国际水平的30%,直接击穿Wolfspeed的成本底线。 从Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深层逻辑 作为碳化硅(SiC)领域的先驱,Wolfspeed的破产不仅是企业的失败,更是美国半导体产业战略失误的缩影。其核心问题体现在三个维度: 供应链脆弱性暴露 Wolfspeed的多晶硅、钨制品等关键原材料依赖中国供应,而2025年中国对美加征34%关税进一步推高其生产成本。与此同时,美国《芯片法案》的补贴因 政治博弈悬而未决,导致其50亿美元的北卡罗来纳州工厂扩建计划资金链断裂。 市场失守与财务崩塌 中国新能源汽车市场占据全球SiC需求的70%,但Wolfspeed因价格劣势被排除在供应链之外。其2024年净亏损达6亿美元,负债超50亿美元,被迫关闭工厂 并裁员25%,最终陷入"卖出现金成本价"的死亡螺旋。 二、 ...