如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自IEEE，谢谢。 上周，在IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，先进芯片制造领域的两大竞争对手英特尔和台积电详 细介绍了使用其最新技术英特尔 18z和台积电 N2构建的关键存储器电路SRAM的功能。多年来，芯 片制造商不断缩小电路尺寸的能力已经放缓——但缩小由大量存储单元和支持电路组成的SRAM尤其 困难。 柔性晶体管可制造更小、更好的 SRAM SRAM 单元在六晶体管电路中存储一个位。但这些晶体管并不完全相同，因为它们对晶体管有不同 的要求。在基于 FinFET 的单元中，这可能意味着构建两对各有两个鳍片的器件，其余两个晶体管各 有一个鳍片。 台积电高级总监兼 IEEE 院士张宗勇(Tsung-Yung Jonathan Chang)表示，纳米片器件"在 SRAM 单 元尺寸方面提供了更大的灵活性"。晶体管之间的意外差异较少他表示，纳米片的品质可以提高 SRAM 的低压性能。 这两家公司最密集的 SRAM 块提供 38.1 兆比特/平方毫米，使用的存储单元为 0.021 平方微米。英 特尔的密度提高了 23% ，台积电提高了 12% 。有 ...