如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 芯片行业对高性能有着"永不满足的渴望"。 在去年年底的IEDM大会上，台积电的 2 纳米逻辑平台演示成为一大亮点。 台积电N2 开发团队负责人 Geoff Yeap 在 IEDM 座无虚席的观众面前强调了该代工厂 N2 平台的每瓦 性能。Yeap 代表 60 多位 2 纳米平台论文的合著者表示："技术进步不仅仅关乎性能。它关乎节能计 算，这是移动、AI PC 和 AI 处理的关键支柱。" 台积电在 2 纳米节点采用纳米片晶体管，取代自 16 纳米节点以来采用的基于 FinFET 的晶体管。 NS 平台"以预计成本"满足所有全节点 PPA（功率、性能和面积）扩展指标。与之前的节点相比，速度 提高了 15%，功率提高了 30%，面积提高了 1.15 倍。Yeap 表示，随着风险制造的进行，2 纳米技术 将在 2025 年下半年投入大批量生产。 需求显然存在。 "自 2023 年第一季度生成式 AI 突破以来，AI 与 5G 先进移动和 HPC 一起点燃了整个行业对一 流先进节能逻辑技术的无限需求，"Yeap 表示。 NanoFlex 是台积电的术语，指的是混合针对性能、功 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自IEEE，谢谢。 上周，在IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，先进芯片制造领域的两大竞争对手英特尔和台积电详 细介绍了使用其最新技术英特尔 18z和台积电 N2构建的关键存储器电路SRAM的功能。多年来，芯 片制造商不断缩小电路尺寸的能力已经放缓——但缩小由大量存储单元和支持电路组成的SRAM尤其 困难。 柔性晶体管可制造更小、更好的 SRAM SRAM 单元在六晶体管电路中存储一个位。但这些晶体管并不完全相同，因为它们对晶体管有不同 的要求。在基于 FinFET 的单元中，这可能意味着构建两对各有两个鳍片的器件，其余两个晶体管各 有一个鳍片。 台积电高级总监兼 IEEE 院士张宗勇(Tsung-Yung Jonathan Chang)表示，纳米片器件"在 SRAM 单 元尺寸方面提供了更大的灵活性"。晶体管之间的意外差异较少他表示，纳米片的品质可以提高 SRAM 的低压性能。 这两家公司最密集的 SRAM 块提供 38.1 兆比特/平方毫米，使用的存储单元为 0.021 平方微米。英 特尔的密度提高了 23% ，台积电提高了 12% 。有 ...