在2025年12月6日至10日于美国举行的国际电子器件会议（IEDM）上，台湾阳明交通大学客座教授 岩井博于12月9日在午餐会上发表了题为"百年奇迹：从场效应晶体管的诞生到未来展望"的特邀演 讲。IEDM是全球规模最大的半导体器件和工艺技术国际会议。在演讲中，他回顾了场效应晶体管从 诞生至今的发展历程，并展望了其未来前景。 岩井教授的讲座非常精彩，解答了我所有的问题。我想概述一下FET从创立至今的发展历程，并以此 为基础，对岩井教授的讲座内容进行总结。请注意，以下内容包含作者为帮助读者理解而添加的一些 内容。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 2025年是场效应晶体管（FET）诞生100周年。晶体管于1947年12月由贝尔实验室，更准确地说是贝 尔电话实验室（BTL）发明。2022-2023年，我们仍然对晶体管诞生75周年的纪念活动记忆犹新。然 而，场效应晶体管诞生100周年意味着它的发明时间早于晶体管。这究竟意味着什么？尽管我知识有 限，但我并不了解其中的细节。 在演讲中，岩井教授将100年（1925-2025）划分为前45年和后55年，并将前45年定义为"循序渐进的 时期"，后55年定义为" ...