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逻辑芯片制造
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迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM(高带宽存储器HBM)工艺
Ge Long Hui
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2025-12-01 01:17
格隆汇12月1日|迈为股份在互动平台表示,公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM (高带宽存储器HBM)工艺。公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造领域。 ...
Maxwell(SZ:300751)
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高选择比刻蚀设备
混合键合设备
刻蚀和薄膜沉积设备
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