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下一代高带宽内存(HBM)芯片
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美光斥资96亿美元,在日建厂
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 据知情⼈⼠透露,美国半导体制造商美光科技(Micron Technology)将投资 1.5 万亿⽇元(约 合 96 亿美元),在⽇本西部建设下⼀代存储芯⽚⽣产基地,该芯⽚是⼈⼯智能计算的关键组件。 这座新⼯⼚将专注于⽣产下⼀代⾼带宽内存(HBM)芯⽚。HBM 是 AI 芯⽚的核⼼组件,需与英 伟达等企业⽣产的图形处理器(GPU)搭配使⽤。凭借⾼存储容量和快速数据传输特性,其容量 提升可直接加快⽣成式 AI 系统的处理速度。 美光计划于 2026 年 5 ⽉在东⼴岛市的⼴岛⼯⼚⼚区内启动新⼚建设,⽬标在 2028 年左右实现 HBM 芯⽚的批量出货。⽇本经济产业省(METI)将为该项⽬提供最⾼ 5000 亿⽇元的补贴。 除⼴岛⼯⼚外,美光在中国台湾地区和美国设有主要⽣产基地,其先进 HBM 芯⽚的⽣产⽬前主要 集中于中国台湾地区。 今年 5 ⽉,鉴于地缘政治⻛险上升,美光⾸次在⽇本引进极紫外光刻(EUV)系统 ⸺ 这是⽣产 先进芯⽚所需的最昂贵制造设备,并部署于⼴岛⼯⼚以实现批量⽣产。 参参考考链链接接 https ://as ia.nikkei.com/bus ...