光掩模薄膜的成本远低于一台造价高达4亿美元的High-NA EUV设备，不过台积电将采取一种"试 错式"的方式来逐步提高生产可靠性。 据了解，2纳米晶圆的全面量产预计将在2025年底启动，之后台积电将进入1.4纳米节点。公司已 为此提前铺好技术与产线基础，1.4纳米工艺预计将在2028年左右开始生产。为此，台积电计划投 资1.5万亿新台币（约合490亿美元），并已在新竹厂启动1.4纳米工艺研发，采购了30台EUV设 备。 然而，台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备——每台高达4亿美元。尽管该设备能够提升 1.4纳米和1纳米晶圆的良率与生产稳定性，但台积电认为其投入成本与实际价值不成正比。据报 道，台积电因此转而采用光掩模薄膜方案。 在次2纳米工艺中，保护膜是必不可少的，它可以防止灰尘及其他微粒污染光刻过程。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源： 内容来自半导体芯闻综合 。 新的2纳米工艺仍可利用台积电现有的EUV（极紫外光刻）设备实现晶圆的大规模量产，并保持较 高的良率。但随着这家台湾半导体巨头推进到更先进的次2纳米节点——即1.4纳米与1纳米（分别 代号A14与A10）——制造工 ...