如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自electropages 。 西方国家正在加大国防开支，投资在智能军事技术上。其中， 排名靠前的包括更强大的新型雷 达、 抗干扰高频通信系统、射程更远、精度更高的导弹以及电子对抗系统。 所有这些加起来，就是需要在千兆赫级频率下运行，并且 功率比以往任何时候都要大。新设备可 能需要在太空中运行，因为即使在现在，太空仍然是军事竞争的战场，未来甚至会更加如此。无论 部署在太空、飞机上还是地面上，对更轻、更小、更坚固耐用的装备的需求都至关重要。 这些问题很大一部分 可以通过使用基于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的半导体来解决。它们统 称为宽带隙半导体，与即将被广泛取代的传统硅基器件相比，具有独特的优势 。 有趣的是 ， GaN 的开关速度比 SiC 稍快，但 SiC 设备可以处理更大的功率。 SiC 和 GaN 的宽带隙特性 意味着，与硅相比， 它们需要更多的辐射能量才能产生有害效应 。 GaN 可能被认为具有更高的 总 电阻，但其优势并非显而易见。设计人员必须考虑预期的辐射类型 以及 器件的预期工作时间。 与 硅 基 技 术 需 要 经 过 特 殊 处 ...