氮化镓电源芯片
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我国氮化镓电源芯片实现新突破,AI算力中心年省3亿度电
Xuan Gu Bao· 2025-12-04 23:19
五矿证券称氮化镓和 SiC 二者相辅相成,SiC 拥有极高的热导率,作为衬底能快速导出氮化镓功 能层 工作时产生的热量,解决 GaN 自身散热差的短板,避免器件因过热失效。氮化镓作为功 能层,其宽禁 带、高电子迁移率等特性可以更好地实现信号放大、电能转换等核心功能。 同时方正证券表示,AI算力将大幅刺激高效率、高密度的功率器件需求。TechInsights数据显示,服务 器机架功率正攀升至100kW以上,推动功 率密度需求突破100W/立方英寸。此外,5.5kW至12kW高功 率电源和电池备份单元需求高增,催生对氮化镓和碳化硅等宽禁 带半导体材料的迫切需求。 公司方面,据上市公司互动平台表示, 据中国光谷官微12月4日报道,九峰山实验室成功研发出基于氮化镓(GaN)的新型电源模块。这种仅 指甲盖大小的"黑盒子",若在一座1吉瓦(即10亿瓦)的超大型AI算力中心中部署100万个,每年可节省 近3亿度电,折合电费约2.4亿元。 团队负责人李思超博士说,该成果目前已完成概念验证,即将开始中试验证,预计3-5年内量产,届时 可满足千亿级市场需求。 点评:中国光谷指出,建设一座AI算力中心,可以说是以"电"换"算"。理 ...