公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 原子层沉积和混合介电材料如何重新定义人工智能时代半导体的可靠性和可扩展性。 人工智能工作负载正推动半导体设计走向一个全新的阶段，传统的尺寸缩放策略已难以为继。过去通 过缩小晶体管尺寸实现的性能提升，如今越来越依赖于器件的堆叠、互连和隔离方式。晶体管尺寸缩 放仍然重要，但先进的器件架构已无法满足数千瓦级人工智能系统对功率密度和带宽的需求。 其结果是，人们对材料的依赖性日益加深，这些材料必须在日益极端的条件下保持电学、机械和化学 稳定性。薄膜介电层、共形金属势垒和原子级界面如今在决定功率效率、信号完整性和长期可靠性方 面发挥着积极作用。随着人工智能加速器尺寸和复杂性的不断增加，这些薄膜必须在更高的纵横比、 更小的间距、更高的温度和更苛刻的集成步骤下才能正常工作。 ASM International首席执行官Hichem M'Saad表示："二维尺寸缩小技术正接近极限，因此器件正在 向三维方向发展。一旦朝这个方向发展，就能通过使用新材料获得更好的性能。" 由此带来的架构转变将材料工程提升至半导体发展的核心地位。栅极介质、刻蚀停止层、衬垫层、成 核膜和封装材料不再被视为 ...