公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 背面供电网络（BPDN）直接从晶圆下方向前沿晶体管供电，这种架构变革能够提升处理器性能、大 幅降低功率损耗并提高电源效率。但BPDN也需要许多新的制造策略，例如去除大部分硅晶圆、将纳 米硅通孔（nanoTSV）与晶体管源漏极精确对准，以及采用新的建模方法来降低将高温晶体管限制在 正面和背面互连堆叠之间所带来的热损耗。 尽管如此，领先的集成电路制造商仍在取得显著进展，尤其是在纳米片场效应晶体管（nanosheet FET）从鳍式场效应晶体管（FinFET）几乎同步过渡的情况下。英特尔最近已将其采用带状场效应 晶体管（RibbonFET）和PowerVia的18A工艺投入量产。三星作为早期领导者，于2022年在其3nm 工艺节点上采用了环栅（GAA）晶体管，并计划在其2nm工艺节点（SF2）上引入背面供电技术。台 积电表示将在其2nm工艺节点（N2）上首次推出GAA技术，随后在16Å工艺节点（A16）上推出其超 级电源轨（Super Power Rail）。 背面供电对于需要高功率和快速功率消耗变化的工作负载至关重要，例如 AI 加速器、游戏芯片和图 形处理器。 I ...