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40V双向GaN产品
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芯导科技:公司40V双向GaN产品已在部分品牌旗舰手机中实现量产出货
Ju Chao Zi Xun· 2025-12-05 15:30
(文/罗叶馨梅)12月5日,芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台回应投资者提问时表示,公司40V双向GaN产品已在部分品牌旗舰手机中实 现量产出货。公司称,相关产品用于终端客户机型的电源管理等场景,体现了其GaN器件在消费电子领域的导入进展。公司对投资者长期关注表 示感谢。 有投资者在平台上询问,国内外主流机器人公司广泛使用氮化镓GaN关节电机驱动,并关注公司是否具备GaN HEMT技术或产品及其在未来人形 机器人领域的应用可能。对此,芯导科技表示,公司GaN产品阵列包含650V GaN HEMT产品以及40V~150V区间的中低压GaN HEMT产品,均在 有序开发中。公司强调,将持续围绕下游新兴应用推进产品布局。 芯导科技介绍,当前具有代表性的40V双向GaN产品已经进入部分品牌旗舰智能手机,并实现稳定的量产出货。公司认为,终端客户对高效率、 小体积电源器件的需求提升,为GaN器件在手机等消费电子中的应用提供了良好基础。通过与品牌厂商合作,公司积累了在大规模量产环节的经 验。 (校对/秋贤) 在应用规划方面,公司表示,GaN产品研发规划的应用领域中已包含人形机器人相关场景。芯导科技称,随着人形机 ...
芯导科技:40V双向GaN产品已在部分品牌旗舰手机中实现量产出货
Mei Ri Jing Ji Xin Wen· 2025-12-05 08:54
芯导科技(688230.SH)12月5日在投资者互动平台表示,尊敬的投资者,您好!感谢您对公司的关 注!公司GaN产品阵列包含 650V GaN HEMT 产品、中低压GaN HEMT 产品(40V~150V),均在有序 开发中,其中具有代表性的 40V 双向 GaN 产品已在部分品牌旗舰手机中实现量产出货。公司GaN产品 研发规划的应用领域中包含人形机器人的领域。 (文章来源:每日经济新闻) 每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:尊敬的董秘您好,据报道国内外主流机器人公司均使 用氮化镓GaN关节电机驱动。请问贵公司是否有GaN HEMT的技术或者产品?未来是否有可能应用在人 形机器人上? ...
芯导科技收购吉瞬科技和瞬雷科技,转让方承诺三年净利润超亿元
Ju Chao Zi Xun· 2025-09-04 10:10
Group 1 - The company, ChipGuide Technology, has made performance commitments for the acquired companies, Jishun Technology and Shunlei Technology, with audited net profits of no less than RMB 35 million, RMB 36.5 million, and RMB 40 million for the years 2025, 2026, and 2027 respectively [2] - On August 4, ChipGuide Technology announced plans to issue convertible bonds and pay cash to acquire 100% of Jishun Technology and 17.15% of Shunlei Technology, raising additional funds for the transaction [2] - Following the completion of the transaction, ChipGuide Technology will hold 100% ownership of both Jishun Technology and Shunlei Technology, aiming to enhance the company's asset scale and product matrix, thereby expanding revenue sources and improving overall operational performance and shareholder returns [2] Group 2 - In response to inquiries about GaN products, the company reported that its 650V GaN HEMT product line has successfully integrated P-GaN series products with resistance values ranging from 90 to 300 mR, and the 650V Cascode structure GaN HEMT is under orderly development, with initial formation of products ranging from 50 to 3000 mR [3] - The company is also developing mid-to-low voltage GaN HEMT products (40V to 150V), with the representative 40V bidirectional GaN product already achieving mass production and shipment to clients [3]