公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 随着人工智能服务器的普及，HBM（高带宽存储器）已成为半导体行业的关键参与者。业内外人士 都关注着"基础芯片"（Base Die）的演变。这种基础芯片此前采用 DRAM 工艺制造，但从 HBM4 开始，正在转向代工工艺。三星电子、SK 海力士和美光科技各自制定了不同的战略，以迎接 HBM4 时代的到来。 Base Die，HBM的"大脑" 据存储器行业28日报道，据悉，全球三大存储器公司正在大幅改进Base Die结构，为下一代HBM4的 量产做准备。这是因为，随着AI计算量呈指数级增长，Base Die的作用变得越来越重要，它不仅仅是 简单的存储器堆叠，还决定着信号处理和功率效率。 HBM 是一种存储设备，它通过使用 TSV（硅通孔）互连技术堆叠多个 DRAM 芯片来最大化带宽。 底层芯片接收来自最底层的信号并执行逻辑功能，决定了 HBM 的整体性能和稳定性。它可以被视为 HBM 的"大脑"和"信号控制中心"。 在 HBM3E 之前，该基础芯片都是采用 DRAM 工艺制造的。DRAM 制造商直接设计逻辑电路，并 在自己的 DRAM 生产线上生产。然而，基于平面 ...