如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 作为英特尔多芯片系统创新的重要一环，通过晶体管架构的升级，引入RibbonFET全环绕栅极晶体管，英特尔能够继续推进晶体管微缩。 本期"5分钟IN科普"，让我们来一起了解一下晶体管架构的发展历程！ 什么是晶体管架构？ 名为晶体管的微型电子开关，是计算机芯片运作的基石。它主要由三部分组成： MOSFET，全名金属氧化物半导体场效应晶体管，是目前数字电路中主流的晶体管架构。 在MOSFET晶体管中，栅极和沟道之间被氧化层（oxide layer）完全隔离开来。一方面，氧化层阻止了电流直接从栅极流向沟道，强化了对电流的 控制，避免漏电；另一方面，当施加电压时，由于电容效应，栅极上的电荷会在氧化层下方产生一个电场，"间接"驱动晶体管中的电流流动。 栅极（gate）：相当于开关的把手，通过施加电压实现对电流的控制； 沟道（channel）：顾名思义，指的是电流的通道； 源极（source）和漏极（drain）：电流的入口和出口。 此前，制造氧化层的主要材料是二氧化硅，2007年，英特尔率先在商业化的产品中使用了高k材料，显著提升了栅极电容并改善了漏电，实现了晶 体管性能的提升。 ...