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Preforma Uniflash金属栅系列
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中微公司: 关于自愿披露公司发布新产品的公告
Zheng Quan Zhi Xing· 2025-09-04 16:17
证券代码:688012 证券简称:中微公司 公告编号:2025-057 中微半导体设备(上海)股份有限公司 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示: 中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称"中微公司"、 "公司")近 日推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延 等关键工艺,为中微公司加速向高端设备平台化公司转型注入新动能。为便于广 大投资者了解公司新产品情况,现将相关事项内容公告如下: 一、新产品基本情况 (一)刻蚀设备 在刻蚀技术方面,中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金 属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。 中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备——CCP 电容性高能等离子 体刻蚀机 Primo UD-RIE基于成熟的 Primo HD-RIE设计架构并全面升级,配 备六个单反应台反应腔,通过更低频率、更大功率的射频偏压电源,提供更高离 子轰击能量,可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求,兼顾刻蚀精度与生产效率。 Primo UD-RIE引入了多 ...
中微公司发布六款半导体设备新品,对市场拓展和业绩成长性预计产生积极影响
Xin Lang Cai Jing· 2025-09-04 14:32
Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀设备专注于金属刻蚀领域, 擅长金属Al线、Al块刻蚀,广泛适用于功 率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造,是晶圆厂金属化工艺的核心设备。 在薄膜沉积设备方面,中微公司此次发布的四款新品, 包括三款原子层沉积产品以及一款外延产品。 其中推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列, 涵盖 Preforma Uniflash® TiN、 Preforma Uniflash® TiAl 及 Preforma Uniflash®TaN 三大产品,能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属 栅方面的应用需求。 外延设备方面,中微公司推出的双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP,作为目前市场上独有的双腔设 计外延减压设备,其反应腔体积为全球最小, 且可灵活配置多至6个反应腔,在显著降低生产成本与化 学品消耗的同时, 实现了高生产效率。 中微公司 视觉中国 资料图 9月4日晚,半导体设备龙头企业中微公司(688012.SH)公告称,近日推出六款半导体设备新产品,这 些设备覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺,包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积 ...
中微公司发布六大半导体设备新产品
同步亮相的Primo Menova12寸ICP单腔刻蚀设备,专注于金属刻蚀领域,尤其擅长金属Al线、Al块刻 蚀,广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造,是晶圆厂金属化工艺的核心设备。今年6 月,该设备的全球首台机已付运到客户认证,进展顺利,并和更多的客户展开合作。 在此次新品发布中,中微公司推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列,成为薄膜沉 积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash TiN、Preforma Uniflash TiAI及Preforma Uniflash TaN 三大产品,能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。 中微公司在新兴技术领域的布局同样受到关注。据公司相关负责人介绍,公司发布的全球首款双腔减压 外延设备PRIMIO Epita RP,凭借独特设计成为行业焦点。作为目前市场上独有的双腔设计外延减压设 备,其反应腔体积为全球最小,且可灵活配置多至6个反应腔,在显著降低生产成本与化学品消耗的同 时,实现了高生产效率。该设备搭载拥有完全自主知识产权的双腔设计、多层独立控制气体分区,以及 具备多个径向调节能力的温 ...