公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 （lateral p-GaN HEMT）基准技术平台。目前，围绕 p 型氮化镓刻蚀和欧姆接触形成的工艺模块研发工作正在推进中。后续，项目将进一步瞄准高压应用场景：针 对 650 伏特及以上的高压需求，研发工作将采用 300 毫米半规格衬底，以及与 CMOS 兼容的 QST工程衬底（一种以多晶氮化铝（AlN）为核心的材料）。在整个研 发过程中，300 毫米晶圆的翘曲度控制及其机械强度是需要重点关注的核心问题。 imec 在成功完成 300 毫米晶圆处理测试与掩模版研发后，正式启动了此次 300 毫米氮化镓项目，并计划于 2025 年底前在其 300 毫米洁净室中全面部署相关技术能 力。斯特凡・德库泰尔补充道："300 毫米氮化镓技术研发的成功，还取决于能否构建一个稳健的生态系统，并联合推动从 300 毫米氮化镓生长、工艺集成到封装解 决方案的全链条创新。因此，我们非常荣幸地宣布 AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和维易科成为我们 300 毫米氮化镓开放式研发项目的首批合作伙伴，也期待 未来能有更多伙伴加入。因为先进氮化镓电力电子器件的研发，需要设计、外延、工艺集 ...