中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电 路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150 条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。 来源：金融界 金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际 集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构的形成方法"的专利，公开号CN120261287A， 申请日期为2024年01月。 专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成硅层；在所述硅层上 形成金属层；对所述金属层和所述硅层进行第一热处理，以形成初始金属硅化物层；采用第一酸洗处理 去除剩余的所述金属层；在所述第一酸洗处理之后，对所述初始金属硅化物层进行第二酸洗处理，去除 在形成所述初始金属硅化物层的过程中产生的副产物；在所述第二酸洗处理之后，对所述初始金属硅化 物层进行第二热处理，以形成金属硅化物层。通过从工艺流 ...

金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项 名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利，公开号CN120261440A，申请日期为 2024年01月。 专利摘要显示，一种反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法，其中反熔丝结构包括：第一晶 体管结构，所述第一晶体管结构包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二晶体管结构，所述第二晶体 管结构包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极与所述第一栅极电连接；电容结构，所述第 一源极与所述电容结构电连接。增设所述第二晶体管结构，且所述第二晶体管结构的第二源极与所述第 一晶体管结构的第一栅极电连接。通过控制所述第二晶体管结构工作在饱和区，使得所述第二晶体管结 构的第二源极具有稳定的电压输出，以此保证所述第一晶体管结构的第一栅极的电压稳定，进而提升反 熔丝结构的编程效果和可靠性。 来源：金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事 计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 尽管法院最终裁定长江存储可以获取这73页文件，但美光仍然坚持认为这一决定是错误的，并称考虑到 长江存储与政府联系，这一请求是危险的，希望最高法院能够推翻这一裁决。 ***************END*************** 美光声称，这些文件涉及国家安全问题，不应被提供给被列入美国商务部实体清单的中国企业。 长江存储与美光之间的纠纷始于2023年11月，当时长江存储在美国起诉美光，称其侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。在法院审理过程中，就需要证据展示，不过根据双方共同商定的保护令，高度 敏感材料的访问权限仅限于外部律师和专家，还规定打印副本总数不超过1500页，且不超过30页连续打 印。 最终，长江存储从美光的"150系列Traveler Presentation"中请求了73页打印页面，其中包含有关美光最新 和即将推出的3D NAND设备的信息。 美光在一份声明中表示："长江存储要求美光最新一代芯片的源代码打印页数是早期一代芯片的10倍"。 6月10日消息，据外媒报道，美国存储芯 ...

Core Viewpoint - Semiconductor companies, specifically SMIC, are actively pursuing innovation through patent applications, indicating a focus on enhancing semiconductor structures and methods, which may strengthen their market position in the industry [1][2]. Group 1: Patent Application - SMIC has applied for a patent titled "Semiconductor Structure and Its Formation Method," with publication number CN120035224A, filed on November 2023 [1]. - The patent describes a semiconductor structure that includes a substrate with an insulating layer and an active region, featuring gate structures that enhance ESD (Electrostatic Discharge) robustness and provide bidirectional ESD protection [1]. Group 2: Company Overview - SMIC Beijing was established in 2002, focusing on manufacturing for computers, communications, and other electronic devices, with a registered capital of 100 million USD [2]. - SMIC Shanghai was founded in 2000, also in the same industry, with a registered capital of 244 million USD [2]. - SMIC Beijing has participated in 51 bidding projects and holds 5000 patent records, while SMIC Shanghai has engaged in 127 bidding projects and also possesses 5000 patents [2].

Core Insights - Semiconductor manufacturing companies in China, specifically SMIC's subsidiaries, have applied for a patent related to a testing device and method for IGBT wafers, which aims to enhance testing efficiency and accuracy [1][3] Company Overview - SMIC International Integrated Circuit Manufacturing (Tianjin) Co., Ltd. was established in 2003, located in Tianjin, with a registered capital of 129 million USD. The company has participated in 104 bidding projects and holds 385 patents [2] - SMIC North Integrated Circuit Manufacturing (Beijing) Co., Ltd. was founded in 2013, based in Beijing, with a registered capital of 480 million USD. It has engaged in 45 bidding projects and possesses 133 patents [2] - SMIC International Integrated Circuit Manufacturing (Shanghai) Co., Ltd. was established in 2000, located in Shanghai, with a registered capital of 244 million USD. The company has invested in 4 enterprises, participated in 127 bidding projects, and holds 5000 patents [2]

来源：金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索 方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。 金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一 项名为"存储器及其形成方法"的专利，公开号CN119922914A，申请日期为2023年10月。 专利摘要显示，一种存储器及其形成方法，存储器包括基底；浮栅结构，位于基底上；选择栅结构，间 隔设置于浮栅结构侧部的基底上，选择栅结构包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个第一栅 极；第一漏区，位于第一栅极一侧的基底中；第一源区，位于第一栅极另一侧的基底中，且多个第一源 区电连接；第二漏区，位于浮栅结构一侧的基底中，且与第一源区电连接；第二源区，位于浮栅结构另 一侧的基底中。第一栅极及其两侧的第一漏区和第一源区构成选择晶体管，由于多个第一 ...

专利摘要显示，本申请提供一种治具组件，包括：第一治具，所述第一治具包括第一主体，所述第一主 体设置有贯穿所述第一主体的第一开口，所述第一开口与片叉的连接端匹配，所述片叉能够穿过所述第 一开口，并使所述连接端位于所述第一开口内；以及第二治具，所述第二治具包括第二主体，所述第二 主体设置有贯穿所述第二主体的第二开口，所述片叉能够穿过所述第二开口；以及所述第二主体的第一 面设置有对准线，用于确定所述片叉伸入所述第二开口的伸入位置。本申请提供的治具组件，可以提高 晶圆拿取以及放置时的精准度。 金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中 芯国际集成电路制造（上海）有限公司取得一项名为"治具组件"的专利，授权公告号CN222801772U， 申请日期为2024年6月。 本文源自金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目104次，专利信息384条，此外企业还拥 ...

Group 1 - The core viewpoint of the news is that Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) has applied for a patent related to semiconductor structures and their formation methods, indicating ongoing innovation in the semiconductor industry [1][3] - The patent application was filed on October 2023, with the publication number CN119815896A, highlighting the company's commitment to advancing semiconductor technology [1] - The patent describes a method that includes providing a substrate with a diode region, which consists of a first area and a second area surrounding it, aimed at improving the reverse breakdown voltage of Schottky diodes while reducing junction capacitance [1] Group 2 - SMIC Beijing was established in 2002, focusing on the manufacturing of computers, communications, and other electronic devices, with a registered capital of 100 million USD [1] - SMIC Beijing has made investments in one company, participated in 51 bidding projects, and holds 5000 patent records along with 226 administrative licenses [1] - SMIC Shanghai, founded in 2000, also specializes in the same sectors with a registered capital of 244 million USD, having invested in four companies and participated in 117 bidding projects, holding 5000 patents and 443 administrative licenses [2]