来 源： 内容来自工商时报 较新的 2 纳米制程可以继续利用台积电现有的 EUV 光刻机进行量产，并提高良率。但随着这家台湾 半导体巨头向 1.4 纳米和 1 纳米（也称为 A14 和 A10）等 2 纳米以下节点迈进，它将面临制造方面 的障碍。现在，通过购买 ASML 先进的高数值孔径 EUV 光刻机可以轻松解决这个问题，但一份新 报告指出，台积电将不再购买 ASML 光刻机，而是转向光掩模薄膜。 2纳米晶圆预计将于2025年底全面投产，之后台积电将最终过渡到1.4纳米节点。该公司已为 迈向先 进制程奠定了基础，预计将于2028年左右开始量产。台积电初期投资高达1.5万亿新台币（约合490 亿美元），目前正以闪电般的速度推进，在新竹工厂启动1.4纳米制程的研发，并购置了30台EUV光 刻机。 然而，台积电拒绝采取的一项举措是购买ASML高数值孔径EUV光刻机，单台售价4亿美元。然而， 这台设备将确保以更高的良率可靠地生产1.4纳米和1纳米晶圆。该公司可能认为，这台设备的价值与 其实际价值不符，因此，据Dan Nystedt和《商业时报》报道，台积电正在转向光掩模防护膜。亚2纳 米工艺必须使用防护膜，以防止灰 ...