如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 koreajoongangdaily 。 为 了 重 夺 其 在 芯 片 行 业 的 主 导 地 位 ， 日 本 采 取 了 大 胆 举 措 ， 瞄 准 了 韩 国 半 导 体 领 域 的 " 皇 冠 明 珠"——用于人工智能（AI）的存储芯片。 该项目旨在开发用于人工智能应用的下一代存储芯片，整合了软银的资金支持、英特尔的技术、东 京大学的科研实力，以及日本在材料、零部件和设备方面的优势。 据日本财经报纸《日经新闻》周六报道，软银和英特尔成立了一家名为Saimemory的公司，致力于 引领人工智能低功耗存储芯片的研发。该公司的目标是开发高带宽内存（HBM）的替代方案，目 前HBM市场由韩国芯片制造商主导。HBM是一种先进的内存技术，堆叠了多层动态随机存取存储 器（DRAM），用于英伟达和AMD等公司生产的人工智能加速器。SK海力士和三星电子控制着全 球约90%的HBM市场。 但软银和英特尔并不打算在HBM领域直接竞争，而是计划开发一种能够显著降低功耗的"堆叠式 DRAM芯片"。这实际上是在寻求重塑市场，而非进入现有市场。 据东京电视台报道，Sai ...

据报道，双方已合资成立Saimemory公司，通过总投资100亿日元(约合7000万美元)的项目，计划在2020 年代末实现商业化量产。该项目专注于研发具有创新布线结构的堆叠式DRAM芯片，与现行高带宽内存 (HBM)相比能显著降低功耗。 当前HBM市场由韩国SK海力士和三星电子(SSNLF.US)主导，但其生产技术面临良率低、成本高、能耗 大等痛点，导致日本企业难以获得稳定供应。软银高管在报道中强调："我们必须确保供应优先权"，凸 显该技术对公司AI数据中心战略布局的关键意义。 为应对日本数据中心市场日益严峻的能源挑战，软银(SFTBY.US)与英特尔(INTC.US)正联合开发新一代 人工智能(AI)内存芯片，其功耗较现有技术可降低50%。 项目投资由软银主导出资30亿日元，日本理化学研究所及新光电气工业正考虑参与合作。报道指出，该 合资企业将整合英特尔的技术专利，并吸收东京大学等日本学术机构的研究成果。 这一合作标志着日本半导体产业的复兴雄心。自1980年代失去70%以上的DRAM市场份额后，日本最后 一家DRAM制造商尔必达于2013年破产后被美光科技(MU.US)收购。软银计划将新型内存技术应用于A ...