铜微凸点
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HBM,太难了
半导体行业观察· 2025-11-12 01:20
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 蔡先生表示:"我们认为所谓的混合-混合键合是实现从微凸点到混合键合过渡的一种可能方式。在这 种方式中,两片晶圆采用混合键合,从而获得互连线更短、信号延迟更低的优势,而下一层级则采用 微凸点技术。" 蔡指出,随着晶圆厚度进一步减薄,翘曲问题日益严重。"HBM公司开始考虑晶圆间键合,因为减薄 后,晶圆级的处理比芯片级的处理要容易得多。" 来 源 : 内容 编译自 semiengineering 。 高带宽内存(HBM)作为人工智能的关键推动因素,处于多项技术发展的前沿,但它也是最难制造 的模块之一。领先的HBM器件制造商和代工厂必须同时应对多层芯片堆叠、芯片翘曲以及产品生命 周期从两年缩短至一年等诸多挑战。 但或许最严峻的挑战来自于硅通孔(TSV)和微凸点尺寸及间距的不断缩小,它们的良率取决于每一 代高带宽存储器缺陷的快速检出。随着数千个互连线必须完美加工,缺陷数量也随之激增。这些趋势 正将检测工具推向极限。 布鲁克公司X射线部门全球应用和销售经理Alex Tokar表示:"小凸起才是问题所在,而不是大凸 起。X射线成像可以检查凸起以及凸起下方的金属化层是否存在缺陷 ...