公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 事实上，早在两年多以前，HBM初步崭露头角之际，海力士和三星就讨论过定制化这一趋势，伴随 着云巨头纷纷定制自己的AI芯片，对HBM的需求只增不减，定制化借此成为了必然需求之一。 在AI模型参数量呈指数级增长的时代背景下，数据中心正经历一场从"算力至上"向"带宽驱 动"的深刻变革。在这场算力架构革新的浪潮中，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存 储器）正悄然崛起，成为支撑大模型计算的核心基础设施。 步入"后AI"时代，HBM已不仅仅是高性能AI芯片（如GPU、TPU）的标配组件，更演变为半导体巨 头间激烈角逐的战略制高点。 无论是三星、SK海力士，还是美光，这些存储领域的领军企业都不约而同地将HBM视为未来营收增 长的关键引擎。它们似乎达成了一个共识：要想在存储市场称霸，就必须率先掌握HBM这一核心技 术。 那么，在这场没有硝烟的竞争中，都有哪些技术值得关注呢？让我们一起来深入分析分析。 定制化是唯一出路？ 定制化可能是HBM的最终归宿之一。 值得一提的是，由于SK海力士成功拿下了多家重量级客户，其在下一代定制HBM市场中延续主导地 位的可 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在半导体先进封装技术加速迭代的背景下，国产 D2W 混合键合设备首次被 Yole Group 报告收录。 Yole 报告收录，亿级市场空间 混合键合技术是从焊料凸块转向铜 - 铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级 精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题。 根 据 Yole 公 开 数 据 显 示 ， 2020 全 球 混 合 键 合 设 备 市 场 规 模 达 3.2 亿 美 元 ， 预 计 2027 年 CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至 2.3亿/5.1亿 美元，CAGR高达 69%/16% ，凸显该 领域强劲增长潜力。 随着 AI 算力需求爆发对高密度封装的需求增加，混合键合在 HBM、3D IC 等高端封 装场景的渗透率持续提升。以HBM市场应用为例，据国泰证券引用Yole 数据，2028 年混合 键合在HBM 市场渗透率将 从 2025 年的 1% 跃升至 36% 。 图源：Yo l e ,国泰证券 国际巨头混合键合领域布局： 图源：Yole《High-End Pe rformance Packaging ...

最近关于 HBM 的讨论越来越多，尤其是在涉及 AI 芯片领域时。HBM 即高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种特殊的 DRAM，通过垂直堆叠并利用硅片内名为 TSV（硅通孔，Through-Silicon Vias）的微小导线与处理器连接。TSV 技术允许直接连接多个 HBM DRAM 芯片，从而提升整体内存带 宽。 在生成式 AI 时代，内存带宽至关重要，因为模型训练往往受限于带宽而非计算能力。Transformer 模型 中的注意力机制需要存储和计算所有 token 之间的关系，内存需求与序列长度成二次方增长。类似地， 推理阶段内存也成为更大瓶颈，因为需要处理更长的上下文窗口和 Transformer 模型中扩大的键值缓存 （KV 缓存）——KV 缓存的内存消耗随 token 数量线性增长。 高速性能 ：HBM 的带宽可达每秒数 TB，比常规 DDR 内存快 20 倍以上。 低功耗 ：由于紧邻逻辑芯片，数据传输距离短，大幅节省能源。 面积效率 ：单位面积内容量密度最高。 为何 HBM 如此重要？ HBM 的核心优势如下： image-20250604192803128 SK ...

2025 年 5 月 26 日，大摩发布亚洲科技报告《Tech Bytes - 中国 HBM 差距缩小》指出， 中国在存储器领域的进步正在迅速推进，不仅在 DRAM 技术发展 上缩小与全球领先者的差距，高带宽存储器（HBM）技术也日益先进 。其目标是在 2027 年生产 HBM3/3E。近期改良版 H20 图形 GPU 的进展可能缩短 产品上市时间差。 差距缩小 ：大摩认为， 中国在 HBM3 技术发展上目前落后全球领先者 3-4 年， 这一差距需要通过提升本土 AI 芯片生产能力来弥补。与此同时 ，中国在 DRAM 技术上显著进步 ，且 在混合键合封装时代已占据强势地位 。根据长鑫存储（CXMT）进入 1z nm 工艺生产 DDR5 的情况，其 DRAM 技术差距已 从 5 年缩短至 3 年。 游戏 GPU 可能替代 HBM—— 填补 AI 推理差距的新选择 ：根据大摩的渠道调研，在新的美国出口限制之前，配备 HBM3 的 H20 GPU 曾是中国市场最 受追捧的加速器，主要用于中端计算和推理需求。 大摩认为，英伟达新推出的降级替代产品可能采用 GDDR7，不含先进封装技术（CoWoS）和 HBM ， 这意 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术， 以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会 推迟采用混合键合技术。 高带宽存储器 (HBM) 将多个存储设备堆叠在一个基片上。目前，HBM 堆栈中的存储芯片通常使 用微凸块（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用诸如模压底部填 充 (MR-MUF) 或非导电薄膜热压 (TC-NCF) 等技术进行键合。 这些芯片也通过嵌入每个芯片内部的硅通孔 (TSV) 进行垂直互连（通过每个 DRAM 芯片传输数 据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着 HBM 速度的提升和 DRAM 设备数量的增加， 微凸块会变得效率低下，因为它们会限制性能和功率效率。 这正是混合键合发挥作用的地方。混合键合是一种 3D 集成技术，通过键合铜与铜以及氧化物与氧 化物表面直接连接芯片，无需使用微凸块。混合键合支持小于 10 µm 的互连间距，与传统的基于 凸块的堆叠相比，可提供更低的电阻和 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/ 输出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加 了一倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自IEEE，谢谢。 人们期待已久的新兴计算机网络组件可能终于迎来了它的时代。在上周于圣何塞举行的Nvidia GTC 活动上，该公司宣布将生产一种光纤网络交换机，旨在大幅降低 AI数据中心的功耗。该系统称为共 封装光学器件（CPO）交换机，每秒可将数十兆比特的数据从一个机架中的计算机路由到另一个机 架中的计算机。 如今，在数据中心中，计算机机架中的网络交换机由专用芯片组成，这些芯片通过电气方式与插入 系统的光收发器相连（机架内的连接是电气的，但有几家初创公司希望改变这一现状）。可插拔收 发器结合了激光器、光电路、数字信号处理器和其他电子设备。它们与交换机建立电气连接，并在 交换机端的电子比特和沿光纤穿过数据中心的光子之间转换数据。 共封装光学器件是一种通过将光/电数据转换尽可能靠近交换芯片来提高带宽并降低功耗的方法。这 简化了设置，并通过减少所需的独立组件数量和电子信号必须传输的距离来节省电力。先进的封装 技术使芯片制造商能够用多个硅光收发器芯片包围网络芯片。光纤直接连接到封装上。因此，除激 光器外，所有组件都集成到一个封装中，激光器保持外部，因为它们是 ...