SiC导电型器件
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天岳先进(688234.SH):半绝缘碳化硅衬底正是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料
Ge Long Hui· 2025-12-11 08:50
格隆汇12月11日丨天岳先进(688234.SH)在互动平台表示,从SiC技术路线本身来看,SiC导电型器件的 频率和散热性能均非常优秀,SiC导电型器件也有在相关机器人领域方向进行应用拓展,公司目前也正 在积极推进相关产业化合作。 关于您提及的具体问题: 1.关于具体产品的技术路线 对于宏微科技、英 诺赛科等友商在特定领域(如人形机器人伺服电机)的具体产品技术路线(是采用GaN-on-Si还是GaN- on-SiC),属于相关公司的具体经营细节,建议您以相关公司官方披露的信息为准。 2.从行业技术逻辑 来看: GaN-on-Si(硅基氮化镓): 目前在消费电子、中低压功率器件领域应用较多,具有成本优势。 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓): 结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能,通常用于对散热 要求极高、稳定性要求严苛的射频(RF)领域或高端功率领域。 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅 衬底供应商。首先,传统意义上来看,半绝缘碳化硅衬底主要应用于5G通信、雷达等射频领域,随着 人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升,确实有助于拓宽公司半绝缘产品的下 游应用场景,为公司带来新的增长 ...