公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在今年的国际固态电路会议上，三星宣布了即将推出的V10（第10代）NAND 闪存，据了解，三星 的V10 NAND闪存具有 400 多个活动层和 5.6 GT/s 的接口速度，其还采用了三星独家首创的混合键 合外围单元 (CoP) 架构。 但三星的V10 NAND量产之路并不顺利，其原本预期今年年底开始量产，但在6月韩国国内传出消 息，预计三星到今年下半年之前将进行供应链构成的评估，而真正的大规模量产投资恐怕要到明年上 半年才能进行。 据报道，截至今年6月，三星仍未最终确定包括蚀刻在内的NAND核心设备的供应链。原因在于高层 堆叠NAND的市场需求不明朗，以及新工艺导入带来的成本效益问题阻碍了投资推进。 所谓"蚀刻"，是指在晶圆上去除不需要的物质的工序。以往在蚀刻通道孔（Channel Hole，类似小 孔）时，需要在约 -20℃至 -30℃的低温环境下进行；但在V10 NAND中，预计需要 -60℃至 -70℃的 超低温环境。温度越低，化学反应性越弱，就越能在无需额外保护膜的情况下实现更精密的蚀刻。 为此，三星电子从美国Lam Research与日本东京电子（ ...