另一方面，ZAM 的命名源于 Z 轴，这意味着芯片是垂直堆叠的。与传统 DRAM 相比，这种设计可 以实现更低的功耗、更大的容量和更宽的带宽。通过垂直堆叠芯片，每个芯片产生的热量可以均匀地 向上扩散，从而有望解决传统平面堆叠方式中存在的散热问题。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 日本内存制造商 SAIMEMORY 于 2 月 3 日在英特尔举办的"Intel Connection Japan 2026"活动上 首次公开亮相，介绍了其业务详情以及目前正在开发的新内存结构"ZAM"的概述。 SAIMEMORY 是 一 家 由 软 银 、 英 特 尔 和 东 京 大 学 共 同 成 立 的 存 储 器 制 造 商 ， 成 立 于 2024 年 12 月，并于 2025 年 6 月开始全面运营。其主要业务是存储器及相关产品的研发、制造和销售。 然而，此前从未公开宣布过此事，相关业务细节也一直不为人知。在本次英特尔活动上，一种面向人 工智能市场的新型内存结构——ZAM（Z字形内存）——正式亮相。 到目前为止，存储器的结构都是堆叠在平面上的，但由于功率和散热的限制，目前这种结构的 16 层 已经接近其极限 ...