如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 有预测称，计划于明年实现商业化的下一代 NAND 闪存产品——高带宽闪存 (HBF)，将在大约 10 年内超越高带宽存储器 (HBM) 市场，而 HBM 是人工智能半导体的核心组件。 2月3日，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系金正浩教授在首尔中区新闻中心举行了"HBF 研究内容和技术开发战略简报会"，并强调"随着人工智能的思考和推理能力变得重要，以及从文本 界面向语音界面的过渡，所需的数据量必将呈爆炸式增长"。 他解释说："如果说中央处理器（CPU）是个人电脑时代的核心，低功耗是智能手机时代的关键， 那么内存就是人工智能时代的核心。"他还补充道："HBM决定速度，HBF决定容量。"HBF是一种 通过垂直堆叠NAND闪存来显著提升容量的内存，主要用于长期存储，与HBM类似。 因此，近年来NAND闪存在半导体行业的重要性日益凸显。随着人工智能代理服务的扩展，作为长 期记忆的"键值"（KV）缓存的作用也日益增强。过去，HBM承担着这一角色，但越来越多的观点 认为，NAND闪存更适合承担这一角色。 在本次简报会上，由被誉为"HBM之父"的金教授领导的KAIST Te ...