野村证券认为，全球存储产业将进入DRAM、NAND与HBM"三重超级周期"，在AI服务器与通用服务器投资同步回暖下，2026年市场规模或飙升 至4450亿美元、同比近翻倍。HBM4放量、eSSD需求或翻倍，加上洁净室短缺限制扩产，推高DRAM与NAND价格与利润率至历史高位。 数据中心存储转型，引爆NAND与eSSD市场 野村证券在5日发布的报告中指出，全球存储市场正迎来前所未有的"三重超级周期"（Triple Super-Cycle），DRAM、NAND和HBM（高带宽内 存）的需求将在2026年同时爆发。 野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027 年进一步扩大至5900亿美元。 报告强调， 这一轮超级周期将持续至2027年，主要动力来自强劲的需求增长与有限的供应扩张之间的供需错配。 野村预计，2026年DRAM和 NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63%。在供应受限的背景下，产品价格将大幅上涨，预计DRAM和NAND的平均售价 （ASP）将分别跃升46%和65%，推动存储芯片制造商的营 ...