（文/罗叶馨梅）10月23日，记者从普冉股份(688766.SH)证券部获悉，公司在第四季度正与下游客户就NOR Flash存储芯片价格变化进行洽谈。公司方面表 示，部分产品价格相较三季度已有所改善，行业整体需求出现边际回暖迹象。 公司人士指出，从行业趋势看，四季度存储市场需求相较年中有改善迹象，NOR Flash价格在部分品类中已企稳回升。受库存消化及下游补货带动，市场价 格有望延续温和回升态势。 普冉股份主要专注于NOR Flash存储芯片的研发与销售，产品存储容量相对较小，主要应用于消费电子、工业控制及智能终端等领域。与三星电子、SK海 力士等主流存储供应商不同，公司采用代工模式生产，而国际厂商多采取IDM一体化模式，具备通过产能调控实现价格调节的能力。 业内分析认为，随着下游应用复苏及高端电子需求增长，NOR Flash市场或将迎来结构性机会。普冉股份在存储芯片细分领域的长期积累有望助力其在行业 复苏周期中保持稳健增长。（校对/秋贤） ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 相较于今年二季度， 三星电子 2025Q3 的存储营收实现了 25% 的环比增长 ，这得益于通用 DRAM 内存和 NAND 闪存领域的良好表现。 根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星电子包括动态随机存取存储器（DRAM）和 NAND闪存在内的存储芯片的总销售额在7月至9月期间达到194亿美元，较上一季度增长25%。 SK海力士第三季度的销售额为175亿美元，较上年同期增长13%。Counterpoint Research将三星电子第三季 度的强劲业绩归功于市场对DRAM和NAND闪存的需求强劲。 该机构还预测，凭借新一代高带宽存储（HBM）芯片（HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM）， 三星电子明年有望实现全面复苏。 展望未来，机构预测通用 DRAM 内存与 HBM 业务的持续复苏将支持三星电子在 2025Q4 稳 住第一宝座；该企业存储部门的业绩在 2026 年有望在 HBM3E 和 HBM4 的推动下实现显著成 长。 2025 湾区半导体产业生态博 ...