11月初，日本Patentix株式会社宣布全球首次利用FZ法成功生长出金红石型二氧化锗（r-GeO2）块体晶体——尺寸达到5毫米。这块小小的晶体，带隙高达 4.68 eV——远超碳化硅（3.3 eV）和氮化镓（3.4 eV），并且理论上可同时实现p型与n型掺杂。 这一突破，再次将超宽禁带（UWBG）氧化物材料体系推向前台。随着电动汽车（EV）的普及、AI 数据中心的能耗增长、减碳与节能需求的增强，以及 车载功率模块小型化趋势的到来，超宽禁带半导体的商业化正受到高度期待。而氧化物，如GeO2和Ga₂O₃，正被视为实现更高耐压、更高功率、更高效 率的下一代功率半导体器件的重要候选材料。 二氧化锗：UWBG赛道新黑马？ 在超宽禁带（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半导体领域，除了广为人知的氧化镓（Ga₂O₃），二氧化锗（GeO2）正迅速崭露头角，成为新一代功率半导体 的竞争者。 二氧化锗作为功率半导体的优势主要有三点：其一，它是具有高功率半导体潜力的超宽带隙半导体；其二，它适用于常规型GeO2 MOSFET的P型和N型掺 杂；其三，它拥有廉价的块状晶体和外延层。 在功率半导体材料的进化谱系中，硅（ ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 二氧化锗（GeO 2 ）共有五种晶体结构：金红石型、α-石英型、CaCl 2 型、α-PbO 2 型和黄铁矿型。 日本公司Patentix目前取得突破的就是金红石型二氧化锗（r-GeO 2 ），r-GeO 2 具有4.6 eV的巨大带 隙，理论预测其同时具有n型和p型导电特性。因此，它有望应用于下一代高性能常关型MOSFET等 领域。 Patentix 株 式 会 社 是 一 家 源 自 立 命 馆 大 学 的 初 创 企 业 ， 专 注 于 超 宽 带 隙 （ Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半导体材料——二氧化锗（GeO 2 ）的研究开发、制造与销售。自2022 年12月成立以来， 公司累计融资额已达10.59亿日元。 为了最大限度地发挥r-GeO 2 的潜力，需要实现具有最小晶体缺陷的高质量块状衬底。此前该公司曾 使用助熔剂法 (Flux Method) 合成块状晶体，最大尺寸约为15x2.5x5mm]。为了利用r-GeO 2 实现功 率半导体器件，更高质量和更大尺寸的块状晶体是必需的。 此次Patentix以传统熔剂法合成的r-GeO ...