氧化镓：第四代半导体的"性价比之王" 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英 寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产 迈出了关键一步。 据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产， 2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆，逐步完善氧化镓产品矩阵，抢占下一代功 率半导体市场先机。 这一动态也引发了业界对氧化镓（Ga₂O₃）材料产业化进程的再度聚焦。 Ga 2 O 3 ，属于一种单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料。 作为备受瞩目的下一代功率半导体材料，氧化镓实际上并非新近发现的材料，但直到近年，随着新能 源汽车、智能电网、光伏逆变器等高压场景对功率器件性能要求的持续攀升，其卓越的材料特性才被 推到聚光灯下。 据 了 解 ， 氧 化 镓 的 禁 带 宽 度 高 达 4.9eV ， 远 超 硅 材 料 的 1.1eV ， 高 于 ...

11月初，日本Patentix株式会社宣布全球首次利用FZ法成功生长出金红石型二氧化锗（r-GeO2）块体晶体——尺寸达到5毫米。这块小小的晶体，带隙高达 4.68 eV——远超碳化硅（3.3 eV）和氮化镓（3.4 eV），并且理论上可同时实现p型与n型掺杂。 这一突破，再次将超宽禁带（UWBG）氧化物材料体系推向前台。随着电动汽车（EV）的普及、AI 数据中心的能耗增长、减碳与节能需求的增强，以及 车载功率模块小型化趋势的到来，超宽禁带半导体的商业化正受到高度期待。而氧化物，如GeO2和Ga₂O₃，正被视为实现更高耐压、更高功率、更高效 率的下一代功率半导体器件的重要候选材料。 二氧化锗：UWBG赛道新黑马？ 在超宽禁带（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半导体领域，除了广为人知的氧化镓（Ga₂O₃），二氧化锗（GeO2）正迅速崭露头角，成为新一代功率半导体 的竞争者。 二氧化锗作为功率半导体的优势主要有三点：其一，它是具有高功率半导体潜力的超宽带隙半导体；其二，它适用于常规型GeO2 MOSFET的P型和N型掺 杂；其三，它拥有廉价的块状晶体和外延层。 在功率半导体材料的进化谱系中，硅（ ...