公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 目前，英特尔的策略是将二维材料视为一种未来选择，以便在硅达到其最终极限之前对其进行评估。 通过与imec等合作伙伴共同开发工艺，并尽早让这些材料经历类似晶圆厂的严格限制，英特尔希望尽 早解决与其制造相关的挑战，从而避免在最终需要新材料时出现后期意外情况。 对于英特尔晶圆代工而言，此次公告传递了两个重要信息。首先，英特尔晶圆代工持续开展长期技术 研发，这些技术在未来数年甚至数十年内都将是半导体行业所需的关键技术，这意味着它将在2030年 代或2040年代为半导体行业提供解决方案，因此是值得信赖的制造合作伙伴。其次，英特尔表明，即 使在研发阶段，新的晶体管概念也必须考虑到可制造性。 参考链接 基于二维材料的二维晶体管已在学术界和研究实验室中展示了十余年，但由于这些演示依赖于小尺寸 晶圆、定制研究工具和脆弱的工艺步骤，因此均无法与大规模半导体制造兼容。然而，本周，英特尔 晶圆代工和imec联合展示了适用于300毫米晶圆的关键工艺模块集成，用于制造二维场效应晶体管 （2DFET），这表明二维材料和2DFET正朝着现实应用迈进。 现 代 领 先 的 逻 辑 工 艺 技 术 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在英特尔看来，半导体创新始终是一项团队合作，最持久的突破源于从研发到量产的深度生态系统协 作。英特尔晶圆代工为其在这一进程中扮演的领导角色而感到自豪，并已确立了其在业界的地位，成 为唯一一家拥有本土领先逻辑芯片研发和制造能力的美国公司。 今天，英特尔分享两个不同项目的里程碑，这两个项目分别展示了公司推动行业研究和创新、降低先 进设备概念风险以及加快为客户创造价值的不同方式。 自信扩展：首台 TWINSCAN EXE:5200B 高数值孔径 EUV 安装 随着前沿工艺节点特征尺寸的不断缩小，高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术正迅速崛 起，成为人工智能时代极具吸引力的光刻技术。ASML 和 Intel Foundry 已证明，目前 最先进的光 刻扫描仪在技术上可行，能够提供更高的精度和生产效率，从而使高数值孔径 EUV 技术在未来的大 规模生产中占据优势。 今天，英特尔激动地宣布，英特尔和ASML已成功完成TWINSCAN EXE:5200B的"验收测试"。 这 款高数值孔径（High NA）极紫外光刻机在保持第一代EXE : 5000高分辨率的同 ...