微信公众号"西安电子科技大学"1月13日消息，长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代 材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。"就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好 却很难。"周弘这样比喻。 近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间 的"岛状"连接转化为原子级平整的"薄膜"，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。这不仅打 破了近二十年的技术停滞，更在前沿科技领域展现出巨大潜力，相关成果已发表在国际顶级期刊《自然 ·通讯》与《科学·进展》。 这一转变带来了质的飞跃：平整的单晶薄膜大大减少了界面缺陷，热可快速通过缓冲/成核层导出。实 验数据显示，新结构的界面热阻仅为传统"岛状"结构的三分之一。这项看似基础的材料工艺革新，恰恰 解决了从第三代到第四代半导体都面临的共性散热难题，为后续的性能爆发奠定了最关键的基础。 性能跃升40%，从实验室数据到未来应用的广阔前景 工艺的突破直接转化为器件性能的惊人提升。基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化 镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密 ...