近日，美国商务部负责出口管制的助理部长肯德勒（Thea Kendler）在硅谷一次闭门会上大放厥词，声称 "中国半导体所谓 7nm 乃至 5nm 的突破只是「实 验室里给领导看的样品」，离规模化、商用化还差十万八千里。封锁一天不松，他们就一天造不出能用的先进芯片" 。 再看看 5nm 芯片领域，面对美国 "无 EUV 难造 5nm" 的断言，中国科研人员另辟蹊径，利用深紫外光刻机（DUV）结合自对准四重图案化（SAQP）技 术，成功将 28nm DUV 光刻精度压缩至 5nm 级别，套刻误差精准控制在 2nm 内，实现了对物理分辨率极限的突破。 事实并非如此！ 先看 7nm 芯片，中芯国际通过技术创新，在 N+2 工艺上取得了显著进展。该工艺采用了多重曝光等先进技术，实现了 12 层芯片的堆叠，其性能已能对 标台积电的 7nm 制程。更为关键的是，中芯国际的 N+2 工艺良率已成功突破 70%，这一成绩绝非 "实验室样品" 所能比拟，而是迈向规模化生产的坚实 一步。 与此同时，国产半导体产业链上的其他环节也在协同发力，半导体级硅片和光刻胶的纯度不断提升，大大降低了因材料缺陷引发的芯片失效问题，为 7nm 芯片 ...