报告预测， 到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。 HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动，从而抬 高整个DRAM市场的利润底线。 摩根大通认为，在AI计算对高性能内存的巨大需求的推动下，"内存饥渴"趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM市场正迎来一个从2024年 持续至2027年的"前所未有的四年定价上行周期"，预计到2027年，全球存储市场规模将达到近3000亿美元。 摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示， 由云服务提供商引领的"内存饥渴"趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶 段。 报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求， 其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪 存。 市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。 这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企 业级固态硬盘（eSSD）。 因此，摩根大通大幅上调了全球存储市 ...