半导体制程技术

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三星挖角台积电高管
半导体芯闻· 2025-06-03 10:39
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 《朝鲜日报》5月底披露,尽管三星晶圆代工事业部近期7纳米级8纳米,成功争取任天堂等订单, 提高产能利用率,尖端制程却出现隐忧,3纳米良率仅50%,台积电3纳米良率则已达 90%,导致 三星将主要客户拱手让给台积电。 报导指出,三星3纳米生产的Google Tensor芯片,转由台积电生产,高通(Qualcomm)与超微 (AMD)等重量级客户,也已将三星排除在外,凸显三星争取最顶级客户遭遇挫败。 与此同时,中国的中芯国际正在积极追赶,特别是在5纳米和7纳米制程取得进展,对三星的代工 业务带来新挑战。 为了缩减与台积电的差距,传出三星挖角曾在台积电任职长达21年的前全球外部制造采购和供应 商管理高级总监韩玛格丽特。 根据韩媒《Fnnews》报导,三星电子半导体部门(DS)证实,已聘请台积电前高管韩玛格丽特, 担任其北美晶圆代工业务的负责人。 提升全球代工订单竞争力 报导认为,这项任命被解读为三星电子加强其在北美的客户参与度,盼提升全球代工订单的竞争 力。凭借韩玛格丽特对北美半导体客户生态系统的深入了解,以及曾任职台积电等主要半导体公司 的经历,韩玛格丽特有望为三星赢得新 ...
英特尔1.8nm制程细节曝光!
国芯网· 2025-04-21 11:12
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月21日消息,英特尔在2025年VLSI研讨会上披露了更多关于其最新的Intel 18A(1.8nm)制程的细 节。 最新资料显示,Intel 18A提供了高性能(HP)和高密度(HD)库,具有全功能的技术设计功能和增强 的设计易用性。 在PPA(性能、功耗、面积)比较中,Intel 18A在标准Arm核心架构的芯片上,1.1V电压下实现了25% 的速度提升和36%的功耗降低。此外,Intel 18A的面积利用率比Intel 3更高,这意味着该制程可以实现 更好的面积效率和更高密度设计的潜力。 英特尔还展示了电压下降图,描绘了高性能条件下节点的稳定性,由于Intel 18A的PowerVia供电技术, 该制程能够提供更稳定的电力传输。 比较显示,通过背面供电技术,英特尔实现了更紧密的单元封装,并提高了面积效率,这主要是因为相 比正面布线释放了更多空间。 从目前披露的信息来看,如果良率没有问题,Intel 18A制程将成为台积电2nm制程的有力竞争者。市场 预计,Intel 18A将首先应用于Pan ...
英特尔1.8nm制程细节曝光!
国芯网· 2025-04-21 11:12
最新资料显示,Intel 18A提供了高性能(HP)和高密度(HD)库,具有全功能的技术设计功能和增强的设计易用性。 在PPA(性能、功耗、面积)比较中,Intel 18A在标准Arm核心架构的芯片上,1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。 此外,Intel 18A的面积利用率比Intel 3更高,这意味着该制程可以实现更好的面积效率和更高密度设计的潜力。 英特尔官网此前公布的资料显示,Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术,可实现电流的精确控制,同时还率先采用 了业界首创的PowerVia背面供电技术。 英特尔还展示了电压下降图,描绘了高性能条件下节点的稳定性,由于Intel 18A的PowerVia供电技术,该制程能够提供更稳定的电力传 输。 比较显示,通过背面供电技术,英特尔实现了更紧密的单元封装,并提高了面积效率,这主要是因为相比正面布线释放了更多空间。 国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月21日消息,英特尔在2025年VLSI研讨会上披露了更多关于其最新的Intel 18 ...