如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 pcwatch 。 在2025 IEEE第17届国际存储器研讨会（IMW 2025）上，美光科技（以下简称"美光"）讲解了最 新的第九代（G9）3D NAND闪存技术，并展望了下一代第十代（G10）及之后的3D NAND闪存 技术（演讲编号及论文编号1.1）。我们将为您汇报此次演讲的概要。 第九代（G9）3D NAND闪存每硅片的存储容量为1Tbit，与上一代第八代（G8）产品相同，但存 储单元阵列的存储密度显著提高了40%，硅片的存储密度提高了30%，而最大数据传输速度则提高 了1.5倍。 第九代（G9）3D NAND闪存的有趣之处在于，字线层数为276层，仅比上一代（G8）的232层增 加了19%。简单的计算意味着存储单元阵列的存储密度只会增加19%。由此可见，除了层数增加之 外，通过其他创新，存储单元阵列的存储密度提升了40%。 美光存储单元阵列的存储密度（每平方毫米的位数）从第七代（ G7 ）的 17 Gbit/ 平方毫米增加到第八代 （ G8 ）的 25 Gbit/ 平方毫米，再增加到第九代（ G9 ）的 35 Gbit/ 平方毫米。 除 ...

最近，台积电、英特尔和三星这些领先晶圆代工厂正在2纳米上开始激烈竞争。来自日本Rapidus也跃跃 欲试。从市场上的报道看来，几家巨头的技术各有千秋。虽然台积电实力雄厚，但追赶者（尤其是英特 尔不甘人后）。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 然而，在2nm还没有大规模量产之际，市场上已经有了很多1纳米技术的新分享。我们综合一下，以飨 读者。 光刻机，未雨绸缪 众所周知，要发展先进工艺，光刻机是不可或缺的。在本周，ASML 和 Imec 本周宣布建立了一项为期 五年的合作伙伴关系，旨在使 Imec 的研究人员和开发人员能够使用 ASML 的最新工具。 报道指出，此举专注于 2nm 以下工艺技术，这些技术将需要 ASML 最新的光刻技术（包括高数值孔 径）、计量和检测工具。Imec 将确保来自学术界和各公司的工程师拥有用于研究的最新设备，而 ASML 将确保其工具被整合到尖端工艺技术中。 根据该合作伙伴关系，Imec 将获得 ASML 全面的先进晶圆制造设备 (WFE)，包括顶级 Twinscan NXT (DUV)、Twinscan NXE（具有 0.33 数值孔径光学器件的Low NA EUV 工具） ...