3月2日消息，近日，国家发改委价格监测中心发文指出，2025年9月至今，受需求"爆发 式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上 涨，近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。 调研反映，截至今年1月，存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最 高。以主流型号为例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%， 比2025年9月上涨 约83%；NAND闪存（128Gb 16G*8 MLC）合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约 65%，比2025年9月上涨近1.5倍。 国家发改委价格监测中心表示，当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需 求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨 态势。 存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力 的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发 布调价函，涨幅普遍在500至1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本 价格较上一代上 ...

另外，供应链人士、行业分析机构及多家手机品牌内部人士表示，收到内存价格暴涨，3月起，手机涨 价将进入加速阶段，新品涨幅最低可达1000元以上。 国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 3月2日消息，近日，国家发改委价格监测中心发文指出，2025年9月至今，受需求"爆发 式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上 涨，近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。 调研反映，截至今年1月，存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最 高。以主流型号为例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%， 比2025年9月上涨约83%；NAND闪存（128Gb 16G*8 MLC）合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约 65%，比2025年9月上涨近1.5倍。 国家发改委价格监测中心表示，当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需 求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨 态势。 存储芯片价格上涨 ...