如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 车 善 镕 还 指 出 ， 除 了 4F 平 方 VG 外 ， 3D DRAM 也 是 下 一 代 DRAM 技 术 的 核 心 方 向 之 一 。 3D DRAM是将存储单元垂直堆叠的技术。尽管业界普遍认为其制造成本可能会随着堆叠层数增加而 上升，但SK海力士计划通过技术创新来克服成本问题，进一步巩固其竞争力。 此外，SK海力士还透露，正在对关键材料和DRAM构成元件进行技术升级，以获取新的增长动 能，并为未来30年DRAM技术的持续演进打下基础。 车善镕总结道："2010年前后，业界普遍认为DRAM技术将止步于20纳米，但通过不断的技术创 新，我们走到了今天。"他强调："我们将为参与未来DRAM研发的年轻工程师们提供中长期的技 术创新路线图，并与整个产业合作，共同将DRAM的未来变为现实。" 另据介绍，在本次大会最后一天（6月12日），SK海力士负责下一代DRAM TF的副总裁朴柱东将 作为演讲嘉宾，公开采用VG结构与晶圆键合（Wafer Bonding）技术验证DRAM电性表现的最新 研究成果。 来源：内容 编译自 ZDNET 。 SK海力士在日本京都于6月8日 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种 新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念 验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单元的单个模块上容纳 512 Gb（64 GB）；这比目前市售的任何模块多 10 倍。NEO 的测试模拟测得 10 纳秒的读/写速 度和超过 9 分钟的保留时间，这两项性能也处于当前 DRAM 能力的前沿。 NEO指出，之所以会推出这些方案，是因为公司看到了DRAM瓶颈。据他们所说，由于10纳米技 术节点以下电容器尺寸缩小的挑战，DRAM的微缩已遭遇关键瓶颈。尽管目前开发可行的DRAM 3D工艺极其复杂，但这仍然迫切需要单片3D DRAM阵列。这正是他们推出新产品和技术的原因。 NEO指出，新推出的3D X-DRAM 1T1C 和 3T0C是一种变革性解决方案，旨在为最苛刻的数据应 用提供前所未有的密度、功率效率和可扩展性。 1T1C和3T0C，完全解读 具体而言，新的 1T1C 单元集成了一个电容器和一个晶体 ...