如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ Rapidus 参加了 2025 年日本半导体展（2025 年 12 月 17 日至 19 日），并展示了在北海道千岁 市的研发制造中心 IIM 生产的 2nm GAA（全环栅极）晶体管和 600mm 方形重分布层 (RDL) 中 介层面板的原型。 2025年6月16日，Rapidus首次将晶圆装载到位于北海道千岁市的研发制造中心IIM的前端试验线 上。同月28日，首个2nm GAA晶体管原型完成并确认运行正常。这是IIM制造的实际原型首次在 展会上展出，展位吸引了众多参观者。 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 全球市值最高的10家芯片公司 推荐阅读 除了展示实际原型外，展位还利用显示屏解释了2nm工艺和GAA结构的优势。与2008年左右的尖 端工艺40nm平面晶体管相比，2nm GAA晶体管的功耗可以降低约二十 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 Rapidus CEO在一篇文章中回顾道，公司试图生产的芯片采用了一种前所未有的结构，称为GAA （Gate All Around，环绕栅极）结构，这有助于实现2纳米半导体所需的超精细精度。IBM于2021 年5月发布了其基于GAA的2纳米工艺节点的基础研究成果，该成果是IBM多年潜心研究的成果。然 而，该技术尚未实现量产。 Rapidus 以此为契机，派遣了约150名工程师，主要集中在拥有多年半导体经验的人员，前往IBM位 于纽约的研发基地，开发实用技术。许多负责尖端技术的人员回到日本，开始进行试生产。 据介绍，在这个过程中，Rapidus面临很多技术挑战和问题，比如如何开发能够实现复杂3D晶体管结 构的技术以及如何结合不同的材料和成分。 来源：内容 编译自 nikkei 。 富士通社长时田贵人23日在横滨举行的定期股东大会上，就致力于尖端半导体国产化的Rapidus发表 了看法，他表示："增加尖端半导体的供应源，对于确保我们供应链的稳定性极为有益。"富士通将继 续采购用于人工智能（AI）相关技术的尖端半导体。 富士通计划投资Rapidus。一位股东询问富士通 ...