国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 3月25日消息，据报道，中科院成功研发出了固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光， 与 目前主流的DUV曝光波长一致，能将国产半导体工艺推进至3nm！ 技术细节显示，科研人员将1030nm基频激光分两路处理：其中一束通过四次谐波转换生成258nm 激光，另一束经光学参数放大后形成1553nm激光。这两束激光在串级硼酸锂晶体中混合后，最终 产出的193nm激光线宽已控制在0.11pm以内，光谱纯度达到商用准分子激光器标准。尽管目前 70mW的平均功率和6kHz频率尚不及传统方案的1%，但固态设计的先天优势已初现端倪。 该技术摆脱了对稀有气体的依赖，理论上可使光刻系统体积缩小30%以上。若后续能在功率密度和 频率稳定性方面实现突破，或将改变现有DUV光刻设备的技术格局。不过正如论文中坦承的， 当前 实验室样机与工业级应用仍存在量级差距，需要材料科学和精密制造领域的协同攻关。 ***************END*************** 半导体公众号推荐 半导体论坛百万微信群 据报道，中 ...