公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 过 去 两 年 是 高 数 值 孔 径 极 紫 外 光 刻 技 术 发 展 的 重 要 篇 章 。 随 着 首 批 系 统 交 付 客 户 ， 以 及 ASML与imec联合成立的高数值孔径极紫外光刻实验室的启动——这为整个生态系统提供了 早期探索其潜力的机会——这项技术正获得真正的发展动力。目前，高数值孔径极紫外光刻 技术展现出巨大的潜力，有望实现其在尺寸微缩、工艺简化和设计灵活性方面的承诺。 释放这些能力源于一种整体方法，该方法同时优化材料和图案化工艺、掩模和成像技术、光刻增强技 术（例如光学邻近校正 (OPC)）、计量和检测以及设计 。这是imec-ASML高数值孔径EUV生态系统 内强大合作的成果，该生态系统涵盖了领先的芯片制造商、设备、材料和光刻胶供应商、掩模公司以 及计量专家。 本文探讨了高数值孔径 EUV 光刻技术背后的关键驱动因素，并重点介绍了光刻和图案化生态系统发 展中的转折点，这些转折点使得该技术得以进行实验验证。 更高的分辨率和图像对比度 与 0.33NA EUV 光刻相比，0.55NA EUV 光刻的数值孔径 (NA) 提高了 67%，因 ...