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先进封装深度:应用领域、代表技术、市场空间、展望及公司(附26页PPT)
材料汇· 2025-07-07 14:23
点击 最 下方 "在看"和" "并分享,"关注"材料汇 添加 小编微信 ,遇见 志同道合 的你 正文 行业|深度|研究报告 2025年7月7日 一、先进封装概述 1. 传统封装与先进封装 封装可以分为传统封装和先进封装,两者在需要的设备,材料以及技术方面具有较大的差异。相比传统 封装,先进封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等优点,不仅可以提升性能、拓展功 能、优化形态,相比系统级芯片,还可以降低成本。 目前,带有倒装芯片(FC)结构的封装、圆片级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D 封装、3D 封装等均被认为属于先进封装范畴。 先进封装深度:应用领域、代表技术、市场 空间、发展展望及相关公司深度梳理 得益于生成式人工智能和高性能计算(HPC)这两大长期趋势有力推动,叠加移动和消费市场回暖以及 汽车先进封装解决方案的拓展,将为先进封装市场规模增长注入动力。先进封装技术也沿着多元化方向 发展。根据 Yole 预测,全球先进封装市场规模将从 2023年的 378 亿美元增至 2029 年的 695 亿美元。 这一增长主要得益于 AI、高性能计算及 5G/6G 技术对算力密度的极致需求,以及数 ...
联电先进封装,拿下大客户!
国芯网· 2025-07-07 13:48
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 据悉,早在2024年底,联电就携手高通展开HPC进封装合作,锁定AI PC、车用,以及AI服务器市 场。 供应链透露,联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试,目前开始试产,预计2026年首 季有机会量产出货。业界分析,此次联电通过高通认证的产品采用1500nF/mm^2电容,主要搭配 高通的IC和內存所需要的电容值。 法人指出,先进封装最关键的制程就是需要曝光机台制造的中介层,加上需要超高精密程度的矽穿 孔,让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片信号可相互联系,联电则具备生产中介层的机台设备之外,且 早在十年前就已将TSV制程应用超微GPU芯片订单上,等于联电完全具备先进封装制程量产技术的 先决条件,成为获得高通青睐的主要原因。 ***************END*************** 半导体公众号推荐 半导体论坛百万微信群 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 7月7日消息,据台媒报道,晶圆代工大厂联电近期积极进军高压制程技术平台,并传出将与英特尔在 12nm制程上的 合作延伸 至6nm的同时 ,还传出已拿下 高通高性 ...
CoreWeave(CRWV.US)拟以全股票收购Core Scientific(CORZ.US) 盘前下跌近3%
智通财经网· 2025-07-07 13:33
智通财经APP获悉,CoreWeave(CRWV.US)周一宣布,已同意以全股票交易方式收购Core Scientific公司 (CORZ.US),交易估值约90亿美元。通过此次收购,CoreWeave将得以扩充其人工智能数据中心的算力 规模。 根据CoreWeave发布的声明,此次交易对Core Scientific的股票估值为每股20.40美元,较6月25日(两家公 司进入深入谈判的前一个交易日)的收盘价溢价66%。 CoreWeave首席执行官迈克尔·英特拉托表示:"此次收购将加速我们规模化部署人工智能和高性能计算 (HPC)工作负载的战略。" Core Scientific是比特币矿企之一,在人工智能热潮下,正试图借助数据中心空间和电力供应短缺的契 机,拓展至加密货币以外的领域。该公司去年曾迈出扩张第一步,当时提出以约10亿美元收购Core Scientific,同时两家公司还宣布了一系列为期12年的合同——Core Scientific将提供约200兆瓦的基础设 施,用于承载CoreWeave的业务运营。 截至发稿,在美股盘前交易中,CoreWeave股价下跌近3%,Core Scientific股 ...
玻璃基板材料,新突破
半导体芯闻· 2025-07-07 09:49
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来 源: 内容 编译 自 etnews 。 美国玻璃材料公司康宁开发出半导体基板专用玻璃。此举意在积极进军被称为下一代基板的玻璃基 板市场,预计将与德国竞争对手肖特展开激烈竞争。 据业内人士透露,康宁已完成半导体基板专用玻璃材料的开发,目前正在与国内外客户进行评估。 该公司主要向玻璃加工设备公司供应原型机,准备占领市场。据称, 这款名为"SG 3.3 Plus (+)"的新产品显著提高了热膨胀系数 (CTE) 和弹性模量。热膨胀系数是决 定半导体玻璃基板质量的关键因素,决定了玻璃与涂层或粘合剂等其他材料的粘合效果,而弹性模 量是指玻璃在受力时变形的程度。 国 内 玻 璃 加 工 企 业 相 关 人 士 评 价 道 : " 这 是 一 种 比 康 宁 现 有 产 品 更 适 合 半 导 体 玻 璃 基 板 的 材 料","将有助于提升半导体玻璃基板最终产品的性能"。 半导体玻璃基板比塑料材料(PCB)更薄、更平坦,因此可以实现微电路。因此,作为人工智能 ( AI ) 等 高 性 能 计 算 ( HPC ) 的 下 一 代 半 导 体 基 板 , 其 备 受 瞩 目 。 ...
HPC网络瓶颈,何解?
半导体行业观察· 2025-07-06 02:49
来源:内容编译自hpcwire 。 高性能计算 (HPC) 以太网旨在促进计算节点之间的快速通信,最大限度地降低延迟并最大化带宽, 以确保快速可靠的数据传输。尽管近年来数据传输速率有所提高,但技术进步仍在不断突破传统网络 的界限。人工智能工作负载尤其苛刻,严重依赖于稳健、可扩展的网络架构。超级以太网联盟(UEC) 最近通过了超级以太网规范 1.0,确保了基于以太网的通信路径的持续发展,以满足现代人工智能和 HPC 系统的严苛需求。 随着数据量和计算需求的激增,专业人员面临着高昂的运营成本、低下的可扩展性以及意想不到的性 能限制。他们该如何避免日益常见的系统膨胀和瓶颈? 公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 HPC 网络的膨胀和瓶颈 面对新出现的瓶颈,企业正在快速扩张,投资新硬件,并增加云计算支出,这导致网络变得过于复 杂,配置过度。关键在于,问题在于访问的便捷性,而非计算速度。 技术进步带来了显著的性能提升。然而,现代硬件无法充分发挥其潜力,因为数据密集型工作负载会 造成性能瓶颈。即使是最强大的组件,如果受到低效存储系统的阻碍,也会受到阻碍。 导致这些代价高昂的问题的关键趋势 在 AI 工作流程中, ...
国产替代+AI双驱动,引领半导体产业核心主线,思特威涨超5%,科创芯片50ETF(588750)收十字星,连续3日获资金净流入超7900万元!
Xin Lang Cai Jing· 2025-07-04 09:49
7月4日,A股市场午后冲高回落,科技股受挫。截至收盘,科创芯片50ETF(588750)收十字星,微跌0.10%。资金持续布局"AI催化+国产替代"双轮驱动的半 导体板块,科创芯片50ETF(588750)已连续3日累计吸金超7900万元! 上证科创板芯片指数(000685)上涨0.06%,成分股拓荆科技(688072)上涨5.78%,思特威(688213)上涨5.36%,峰岹科技(688279)上涨4.78%,华海清科(688120) 上涨3.43%,芯源微(688037)上涨2.28%。 | 序号 | 代码 | 名称 | 申万―级行业 | 涨跌幅 | 成交额 | 估算板重 ▼ | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 1 | 688981 | 中不国际 | 电子 | -0.51% | 21.66亿 | 10.25% | | 2 | 688041 | 海光信息 | 电子 | 0.15% | 15.15 Z | 9.83% | | 3 | 688256 | 寒武纪-U | 电子 | 0.03% | 31.12亿 | 9.04% | | 4 | 688008 ...
高密度DTC硅电容量产上市——森丸电子发布系列芯片电容产品
3 6 Ke· 2025-07-04 05:31
01.硅电容:被动电子元件的革命性突破 硅电容(Silicon Capacitor)采用单晶硅衬底,通过深槽刻蚀技术在硅晶圆上构建三维微结构,再通过一系列薄膜沉积与刻蚀工艺实现高纯度电介质层。这种融 合半导体制造工艺的创新设计,使电容性能获得了质的飞跃: ·卓越的容值稳定性:包括温度、偏压和老化特性引起的容值漂移,不到MLCC的1/10; ·超薄形态:可实现低于50微米的超薄厚度,甚至不到头发丝直径; ·超高密度:单位面积容量提升10倍以上; ·极低的ESL和ESR:保证信号完整性,降低电源燥声和阻抗。 传统MLCC采用陶瓷粉未堆叠烧结工艺,存在先天不足:陶瓷层间易产生微裂纹,高温烧结导致内部应力积聚,多层结构带来高寄生电感。而硅电容的单晶 硅基底具有高度有序的原子排列,无晶界缺陷,从根本上解决了这些痛点。 硅电容并非对MLCC的简单改良,而是一种基于半导体工艺的根本性技术革新。其优势体现在多个维度,直接解决了MLCC在高性能应用中长期存在的"隐 性妥协"。在5G/6G通信、高速处理器(如AI、HPC)的电源分配网络 (PDN)、汽车电子(如ADAS、BMS)、医疗设备(植入式与体外诊断)等高端领域,硅电容正 ...
报名中 | 聚焦接口与安全IP,这场技术研讨会不容错过!
半导体芯闻· 2025-07-03 10:02
在当今高速发展的半导体行业中,数据传输速度和安全性已成为关键挑战。随着人工智能、 联网车辆、5G和物联网的爆发式增长,市场对高性能计算和低功耗芯片的需求激增,而内存 带宽与数据处理安全性的瓶颈日益凸显。在这一背景下,接口IP和安全IP技术成为行业突破 的核心驱动力,它们直接决定了芯片的效能、兼容性及抗攻击能力。 成立于1990年的Rambus公司,正是这一领域的先驱者。凭借其创新的高速接口技术,Rambus重新 定义了内存与系统间的数据传输标准,其DDR内存接口、HBM3/4和PCIe 5/6 等解决方案显著提升 了数据中心、边缘计算等场景的性能上限。同时,面对日益复杂的网络安全威胁,Rambus拥有许 多安全IP解决方案,比如信任根技术、安全协议引擎、内联(inline)密码引擎、后量子密码算法加速 器核等。这些丰富的安全和接口IP解决方案帮助Rambus构建了强大的产品组合。 7月9日,针对AI和汽车两大热门方向,Rambus于北京丽亭华苑酒店举办技术探讨会。届时,除了 Rambus 之 外 , 其 他 行 业 合 作 伙 伴 包 括 M31 、 晶 心 科 技 、 Brightsight 、 ETAS ...
中国台湾成熟制程 不跟着拼量
Jing Ji Ri Bao· 2025-07-01 23:16
茂硅明确定位走利基型应用市场,锁定需高弹性与定制化的订单,强化与车用及工控客户的粘性。 联电通过结盟英特尔,在美国携手开发12nm技术,外媒更进一步披露,面对中国大陆成熟制程产能大 战,联电评估进军进先进制程,锁定以6nm技术生产更先进的WiFi、无线射频、蓝牙元件、AI加速器, 汽车使用的核心处理芯片。联电强调,将寻求合作伙伴关係,仍持续探索更先进的制造技术。 世界开拓特殊制程应用,耕耘碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)多年。氮化镓已量产,世界并参与汉磊 私募案,目标2026下半年开始量产8英寸碳化硅(SiC)晶圆制造,初期锁定工控与消费用产品,未来扩 展包括电动车、AI数据中心、绿能等应用。 力积电逐步脱离低毛利制程,寻求高附加价值的产品线。力积电董事长黄崇仁先前表示,2019年起即布 局Wafer-on-Wafer(WoW)3D堆叠技术,特别适用于边缘AI、车用电子与高性能计算(HPC)领域。 中国大陆晶圆代工厂大举新建产能,但中国台湾厂不跟着拼量。龙头台积电以先进制程独霸全球,通吃 苹果、AMD、英伟达、高通等国际大厂最先进芯片代工订单;联电、世界、力积电、茂硅等成熟制程 晶圆代工厂则与国际大厂联盟或 ...
混合键合,下一个焦点
3 6 Ke· 2025-06-30 10:29
Group 1 - The core concept of hybrid bonding technology is gaining traction among major semiconductor companies like TSMC and Samsung, as it is seen as a key to advancing packaging technology for the next decade [2][4][10] - Hybrid bonding allows for high-density, high-performance interconnections between different chips, significantly improving signal transmission speed and reducing power consumption compared to traditional methods [5][11] - The technology is particularly relevant for high bandwidth memory (HBM) products, with leading manufacturers like SK Hynix, Samsung, and Micron planning to adopt hybrid bonding in their upcoming HBM5 products to meet increasing bandwidth demands [10][12] Group 2 - TSMC's SoIC technology utilizes hybrid bonding, achieving a 15-fold increase in chip connection density compared to traditional methods, which enhances performance and reduces size [14][15] - Intel has also entered the hybrid bonding space with its 3D Foveros technology, which significantly increases the number of interconnections per square millimeter, enhancing integration capabilities [19] - SK Hynix and Samsung are actively testing and planning to implement hybrid bonding in their next-generation HBM products, with Samsung emphasizing the need for this technology to meet height restrictions in memory packaging [20][22] Group 3 - The global hybrid bonding technology market is projected to grow from $123.49 million in 2023 to $618.42 million by 2030, with a compound annual growth rate (CAGR) of 24.7%, particularly strong in the Asia-Pacific region [22]