阿里千问加码春节AI大战 2月2日，千问APP宣布投入30亿元启动"春节请客计划"，以免单形式请全国人民在春节期间吃喝玩乐， 感受AI时代的全新生活方式。淘宝闪购、飞猪、大麦、盒马、天猫超市、支付宝等阿里生态业务也将 加入千问春节攻势。据悉，此次30亿量级的投入规模，不仅创下阿里体系内历年春节活动投入新高，也 位居今年互联网大厂春节AI大战的投入榜首。 腾讯内部信回应元宝"春节红包"分享质疑 21世纪经济报道新质生产力研究院综合报道 早上好，新的一天又开始了。在过去的24小时内，科技行业发生了哪些有意思的事情？来跟21tech一起 看看吧。 【巨头风向标】 SpaceX宣布收购xAI 太空探索技术公司（SpaceX）在官网发布声明，确认与人工智能企业xAI公司合并。声明称，合并后公 司将整合人工智能、火箭、天基互联网、移动设备直连的通信等平台。这篇署名马斯克的文章中指出， 其目标是"创造出一颗有感知能力的太阳，以理解宇宙，并将意识之光延伸到星辰之中。"文中指出：当 前人工智能的进步依赖于大型地面数据中心，需要大量的电力和冷却系统。即便在短期内，仅依靠地面 解决方案也无法满足全球人工智能对电力的需求，否则会给社 ...

本次可转债的初始转股价格不低于募集说明书公告日前二十个交易日公司股票交易均价和前一个交易日公司 股票交易均价。具体初始转股价格由公司股东大会授权董事会（或董事会授权人士）在发行前根据市场状况与保 荐机构（主承销商）协商确定。 本次向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过人民币150,000.00万元（含本数），募集资金 总额扣除发行费用后用于车规级SiCMOSFET模块制造项目、IPM模块制造项目、车规级GaN模块产业化项目、补 充流动资金项目。 中国经济网北京2月1日讯 上海证券交易所上市审核委员会2026年第3次审议会议于2026年1月30日召开，审 议结果显示，斯达半导体股份有限公司（以下简称斯达半导，603290.SH）再融资符合发行条件、上市条件和信 息披露要求。 上市委会议现场问询的主要问题： 请发行人代表结合公司募投项目市场空间、竞争格局及对手产能扩充、市场占有率、产品定点及在手订单等 情况，说明公司本次募投项目新增产能的合理性及相应的产能消化措施，相关风险揭示是否充分。请保荐代表人 发表明确意见。 斯达半导10月30日披露向不特定对象发行可转换公司债券证券募集说明书(申报稿)，本次发 ...

1月30日晚间，上交易上市审核委员会2026年第3次审议会议公告显示，斯达半导（603290）公开发行15 亿可转债项目获得通过。 一、公司基本情况 斯达半导体股份有限公司（Wind代码：603290.SH）成立于2005年4月27日，总部位于浙江省嘉兴市南 湖区科兴路988号，2020年2月4日在上海证券交易所主板上市。公司专业从事以IGBT为主的半导体芯片 和模块的设计研发、生产及销售，产品涵盖IGBT、SiC、GaN、MCU芯片及模块，电压等级覆盖100V ～3300V，电流等级10A～3600A，广泛应用于新能源汽车、工业控制、光伏、储能、白色家电等领 域。公司注册资本2.39亿元，法定代表人及董事长为沈华。 二、报告期业绩 截至2025年前三季度，公司实现营业收入29.90亿元，同比增长23.82%；归母净利润为3.82亿元，同比 下降9.80%；扣非归母净利润同比下降11.58%。业绩增长主要由新能源汽车、AI服务器等高增长领域需 求驱动，但净利润承压源于研发费用大幅增加至3.44亿元，占营业收入比重达11.5%。2025年第三季度 单季营收达10.51亿元，环比增长显著，显示收入端持续回暖。公司 ...

1月30日晚间，上交易上市审核委员会2026年第3次审议会议公告显示，斯达半导公开发行15亿可转债项 目获得通过。 一、公司基本情况 斯达半导体股份有限公司（Wind代码：603290.SH）成立于2005年4月27日，总部位于浙江省嘉兴市南 湖区科兴路988号，2020年2月4日在上海证券交易所主板上市。公司专业从事以IGBT为主的半导体芯片 和模块的设计研发、生产及销售，产品涵盖IGBT、SiC、GaN、MCU芯片及模块，电压等级覆盖100V ～3300V，电流等级10A～3600A，广泛应用于新能源汽车、工业控制、光伏、储能、白色家电等领 域。公司注册资本2.39亿元，法定代表人及董事长为沈华。 车规级SiC MOSFET模块制造项目：拟投入6亿元，达产后新增年产能280万个，预计年销售收入18亿 元，内部收益率18.45%； IPM模块制造项目：拟投入2.7亿元，达产后新增年产能3000万个，预计年销售收入6.6亿元，内部收益 率16.00%； 车规级GaN模块产业化项目：拟投入2亿元，达产后新增年产能100万个，预计年销售收入4.51亿元，内 部收益率18.73%； 补充流动资金：拟使用4.3亿元。 ...

2026年1月30日，斯达半导体股份有限公司（证券代码：603290，证券简称：斯达半导）发布公告称，公司向不特定对象发行可转换公司债券的申请已获 上海证券交易所上市审核委员会审核通过。 作为国内功率半导体领域的领军企业，斯达半导总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆及欧洲设有子公司，同时在国内外及欧洲布局研发中心，构建了 全球化的研发与经营网络。公司主营业务聚焦IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，深耕高能效、绿色化和智能化应用领 域，提供全面的半导体及系统解决方案。根据Omdia 2023年研究报告，公司在全球IGBT模块市场排名第五，综合竞争力凸显。 斯达半导覆盖IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、快恢复二极管等功率半导体器件，以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，应用场景广泛，涵 盖新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等多个高增长领域。其中，公司作为国内新 能源汽车市场主电机控制器用大功率车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，2024年车规级IGBT模块配套超过300万套新能源汽车主电机控制器 ...

证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2026-002 登录新浪财经APP 搜索【信披】查看更多考评等级 斯达半导体股份有限公司 关于向不特定对象发行可转换公司债券申请 获得上海证券交易所上市审核委员会审核通过的公 告 特此公告。 斯达半导体股份有限公司董事会 2026年01月31日 上海证券交易所上市审核委员会于2026年01月30日召开2026年第3次审议会议（以下简称"会议"），对 斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）向不特定对象发行可转换公司债券的申请进行了审议。根 据会议审议结果，公司本次向不特定对象发行可转换公司债券的申请符合发行条件、上市条件和信息披 露要求。 公司本次向不特定对象发行可转换公司债券事项尚需获得中国证券监督管理委员会（以下简称"中国证 监会"）作出同意注册的决定后方可实施。公司本次发行最终能否获得中国证监会同意注册的决定及其 时间尚存在不确定性。公司将根据该事项的进展情况，严格按照有关法律法规的规定和要求及时履行信 息披露义务。 敬请广大投资者注意投资风险。 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容 的真实性 ...

关于向不特定对象发行可转换公司债券申请 获得上海证券交易所上市审核委员会审核通过的公告 证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2026-002 斯达半导体股份有限公司 敬请广大投资者注意投资风险。 特此公告。 斯达半导体股份有限公司董事会 2026 年 01 月 31 日 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 上海证券交易所上市审核委员会于 2026 年 01 月 30 日召开 2026 年第 3 次审 议会议（以下简称"会议"），对斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"） 向不特定对象发行可转换公司债券的申请进行了审议。根据会议审议结果，公司 本次向不特定对象发行可转换公司债券的申请符合发行条件、上市条件和信息披 露要求。 公司本次向不特定对象发行可转换公司债券事项尚需获得中国证券监督管 理委员会（以下简称"中国证监会"）作出同意注册的决定后方可实施。公司本 次发行最终能否获得中国证监会同意注册的决定及其时间尚存在不确定性。公司 将根据该事项的进展情况，严格按照有关法律法规的规定和要求及时履行信息 ...

南方中证500ETF（510500）基金经理为罗文杰。 1月28日，斯达半导涨5.09%，截至发稿，报116.97元/股，成交5.42亿元，换手率1.97%，总市值280.11 亿元。 资料显示，斯达半导体股份有限公司位于浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号，成立日期2005年4月27日， 上市日期2020年2月4日，公司主营业务涉及以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,并 以IGBT模块形式对外实现销售。主营业务收入构成为：模块98.12%，其他产品1.88%。 从斯达半导十大流通股东角度 数据显示，南方基金旗下1只基金位居斯达半导十大流通股东。南方中证500ETF（510500）三季度减持 7.55万股，持有股数173.94万股，占流通股的比例为0.73%。根据测算，今日浮盈赚取约986.26万元。 南方中证500ETF（510500）成立日期2013年2月6日，最新规模1446.9亿。今年以来收益14.56%，同类 排名693/5549；近一年收益55.61%，同类排名1143/4285；成立以来收益188.28%。 截至发稿，罗文杰累计任职时间12年285天，现任基金资产总规模1713.5 ...

Summary of Key Points Core Viewpoint The upcoming week (January 26-30) will see the IPO review of three companies aiming to raise a total of 1.072 billion yuan, along with one refinancing company planning to raise 1.5 billion yuan. IPO Companies Overview - **Hengdao Technology**: - Location: Zhejiang - Industry: Specialized Equipment Manufacturing - Net Profit (Last Year): 6,887.18 million yuan - Fundraising Amount: 403.0166 million yuan - Main Products: Hot runner systems for injection molds, widely used in automotive and consumer electronics [2][4][5][9] - **Haichang Intelligent**: - Location: Henan - Industry: Specialized Equipment Manufacturing - Net Profit (Last Year): 11,475.93 million yuan - Fundraising Amount: 452 million yuan - Focus: High-performance wiring harness equipment for automotive and communication industries [2][10][11] - **Jishida**: - Location: Jiangsu - Industry: Specialized Equipment Manufacturing - Net Profit (Last Year): 5,348.62 million yuan - Fundraising Amount: 216.9531 million yuan [2][19] Refinancing Company Overview - **Sida Semiconductor**: - Location: Zhejiang - Type: Publicly Issued Convertible Bonds - Fundraising Amount: 1.5 billion yuan - Recent Net Profit: 51,338.67 million yuan - Main Business: Power semiconductor chips and modules for energy-efficient applications [3][20][23] Financial Performance Highlights - **Hengdao Technology**: - Total Assets (2025): 448.42 million yuan - Total Revenue (2025): 146.99 million yuan - Net Profit Margin: 50.31% [8] - **Haichang Intelligent**: - Total Assets (2025): 1,247.06 million yuan - Total Revenue (2025): 438.47 million yuan - Net Profit Margin: 33.50% [13] - **Jishida**: - Total Assets (2025): 889.38 million yuan - Total Revenue (2025): 196.38 million yuan - Net Profit Margin: 26.13% [17] - **Sida Semiconductor**: - Total Revenue (2025): 193.56 million yuan - Net Profit (2025): 27.91 million yuan [21][22] Fundraising Projects - **Hengdao Technology**: - Projects: Production line for hot runner systems, R&D center, and working capital [9] - **Haichang Intelligent**: - Projects: Intelligent equipment for wiring harness production, R&D center, and working capital [14] - **Jishida**: - Projects: Expansion of intelligent manufacturing equipment [19] - **Sida Semiconductor**: - Projects: Manufacturing of automotive-grade SiC MOSFET modules, IPM modules, and working capital [23]

Core Viewpoint - The silicon carbide (SiC) power device market is experiencing significant growth due to its superior characteristics such as lower conduction resistance, higher operating temperatures, and higher voltage capabilities, leading to increased applications in high-voltage and high-power sectors [1][7]. Market Overview - The global power semiconductor device market is projected to grow to 37.45 billion yuan by 2025, with the SiC power device market expected to reach 2.83 billion yuan, resulting in a market penetration rate of 7.56%. By 2026, the global power semiconductor market is anticipated to reach 40.78 billion yuan, with the SiC market growing to 3.88 billion yuan and a penetration rate of 9.51% [1][5][7]. Industry Definition and Classification - SiC power devices include SiC diodes, SiC switches, and SiC power modules, with various subcategories such as SBD diodes, PiN diodes, and SiC MOSFETs. SiC materials exhibit high thermal conductivity and can operate at high temperatures, making them suitable for extreme conditions [2][4]. Current Industry Status - The power device market is benefiting from the resurgence in consumer electronics demand and the growth of emerging applications such as automotive electronics, IoT, and AI. The SiC power device market has seen substantial growth, with a rise from 450 million yuan in 2020 to 2.83 billion yuan in 2025, and a penetration increase from 1.42% to 7.56% during the same period [4][7]. Industry Chain - The SiC power device industry chain consists of upstream materials like SiC epitaxial wafers and substrates, midstream production involving IDM and wafer foundries, and downstream applications in sectors such as photovoltaic power generation, electric vehicles, and smart grids [7][8]. Competitive Landscape - The global SiC power device market is characterized by a dual oligopoly of international giants and domestic leaders. Key international players include Rohm, Fuji Electric, and Infineon, while domestic companies like BASiC Semiconductor and Stada Semiconductor are gaining market share through vertical integration [8][9]. Future Outlook - The SiC power device sector is expected to continue evolving to meet increasing demands for cost efficiency and quality, with applications expanding in electric vehicles and renewable energy. The industry is focused on enhancing energy conversion efficiency and reliability while reducing costs [10].