斯达半导体股份有限公司 内幕信息知情人登记管理制度 斯达半导体股份有限公司 内幕信息知情人登记管理制度 第一章 总 则 第一条 为加强斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）内幕信息管理，做好 内幕信息保密工作，维护信息披露的公平原则，保护广大投资者的合法权益，根据《中 华人民共和国公司法》、《中华人民共和国证券法》（以下简称"《证券法》"）、《上 海证券交易所股票上市规则》（以下简称"《股票上市规则》"）、《上市公司信息披 露管理办法》、《上市公司监管指引第 5 号——上市公司内幕信息知情人登记管理制度》 等有关法律、法规的规定及《斯达半导体股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"）、 《斯达半导体股份有限公司信息披露制度》的有关规定，结合公司实际情况，特制定本 制度。 第二条 公司董事会是内幕信息的管理机构。 第三条 公司董事、高级管理人员和公司各部门、子（分）公司都应做好内幕信息 的保密工作。 尚未公开是指公司尚未在中国证券监督管理委员会（以下简称"中国证监会"）、 上海证券交易所指定的披露上市公司信息的报刊或网站上正式公开披露。 1 第四条 董事长为主要负责人。董事会秘书负责办理上市公司内幕信息 ...

董事会薪酬与考核委员实施细则 第一章 总则 第一条 为进一步建立健全公司董事(非独立董事)及高级管理人员的考核和 薪酬管理制度，完善公司治理结构，根据《中华人民共和国公司法》和公司章程 等规定，并参照《上市公司治理准则》，制定本实施细则。 第二条 薪酬与考核委员会是董事会按照股东会决议设立的专门工作机构， 主要负责制定、审查公司董事及高级管理人员的薪酬政策与方案，负责制定公司 董事及高级管理人员的考核标准并进行考核，对董事会负责。 第三条 本细则所称董事是指在本公司领取薪酬的董事长、董事，高级管理 人员是指董事会聘任的总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书及公司章程规 定的其他高级管理人员。 第二章 人员组成 第四条 薪酬与考核委员会由三名成员组成，独立董事过半数并担任召集人。 斯达半导体股份有限公司 董事会薪酬与考核委员会实施细则 斯达半导体股份有限公司 第五条 薪酬与考核委员会委员由董事长、二分之一以上独立董事或者全体 董事的三分之一提名，并由董事会选举产生。 第六条 薪酬与考核委员会设主任委员一名，由独立董事担任，负责主持委 员会的工作。主任委员在委员内选举，并报请董事会批准产生。 第七条 薪酬与考核委 ...

斯达半导体股份有限公司 募集资金专项存储及使用管理制度 第二条 公司应当在募集资金到位后一个月内与保荐机构、存放募集资金的 商业银行签订有关募集资金使用监督的三方协议，公告协议主要内容。 第三条 募集资金只能用于公司在发行申请文件中承诺的募集资金运用项 目。公司变更募集资金运用项目必须经过股东会批准，并履行信息披露义务和其 他相关法律义务。 第四条 公司董事会负责制定募集资金的详细使用计划，组织募集资金运用 项目的具体实施，做到募集资金使用的公开、透明和规范。募集资金运用项目通 过公司子公司或公司控制的其他企业实施的，公司应当采取适当措施保证该子公 司或被控制的其他企业遵守本制度的各项规定。 第五条 公司应根据《公司法》《证券法》《上市规则》等法律法规和规范 性文件的规定，及时披露募集资金使用情况，履行信息披露义务。 斯达半导体股份有限公司 募集资金专项存储及使用管理制度 第一章 总则 斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）为规范募集资金的存放、使用 和管理，保证募集资金的安全，最大限度地保障投资者的合法权益，根据《中华 人民共和国公司法》（以下简称《公司法》）《中华人民共和国证券法》（以下 简称《证券法 ...

斯达半导体股份有限公司 股东会议事规则 斯达半导体股份有限公司 股东会议事规则 第一章 总 则 第一条 为规范斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）行为，保 证股东会依法行使职权，根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）、 《中华人民共和国证券法》（以下简称"《证券法》"）、《上市公司股东会规 则》等法律、行政法规和规范性文件以及《斯达半导体股份有限公司章程》（以 下简称"《公司章程》"）的规定，制定本规则。 第二条 公司应当严格按照法律、行政法规、《公司章程》及本规则的相 关规定召开股东会，保证股东依法行使权利。 公司董事会应当切实履行职责，认真、按时组织股东会。公司全体董事应当 勤勉尽责，确保股东会正常召开和依法行使职权。 第三条 股东会应当在《公司法》和《公司章程》规定的范围内行使职权。 第四条 股东会分为年度股东会和临时股东会。年度股东会每年召开一次， 应当于上一会计年度结束后的六个月内举行。临时股东会不定期召开，出现《公 司章程》第四十四条规定的应当召开临时股东会的情形时，临时股东会应当在两 个月内召开。 公司在上述期限内不能召开股东会的，应当报告公司所在地中国证券监督管 理委员会 ...

斯达半导体股份有限公司 证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2025-042 关于取消监事会、变更公司注册资本、修订《公司章程》 并办理工商变更登记及制定、修订部分治理制度的公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）于 2025 年 12 月 08 日召开第 五届董事会第十二次会议审议通过了《关于取消监事会、变更公司注册资本、修 订<公司章程>并办理工商变更登记的议案》及《关于制定及修订公司治理相关 制度的议案》；同日，公司召开第五届监事会第十二次会议审议通过了《关于取 消监事会、变更公司注册资本、修订<公司章程>并办理工商变更登记的议案》。 鉴于公司拟根据上市公司治理要求取消监事会，同时公司因 2021 年股票期 权激励计划行权，股份总数由 239,469,014 股变更为 239,473,466 股，注册资本由 人民币 239,469,014 元增加至 239,473,466 元。根据《中华人民共和国公司法》（以 下简称"《公司法》"）、《中华人民共和 ...

证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2025-043 斯达半导体股份有限公司 关于召开2025年第二次临时股东大会的通知 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 重要内容提示： 一、 召开会议的基本情况 (四)现场会议召开的日期、时间和地点 召开的日期时间：2025 年 12 月 24 日 10 点 召开地点：浙江省嘉兴市南湖区科兴路 988 号斯达半导会议室 (五)网络投票的系统、起止日期和投票时间。 股东大会召开日期：2025年12月24日 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票 系统 (一)股东大会类型和届次 2025年第二次临时股东大会 (二)股东大会召集人：董事会 (三)投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结合的 方式 网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统 网络投票起止时间：自2025 年 12 月 24 日 至2025 年 12 月 24 日 采用上海证券交易所网络投票系统，通过交易系统投票平台的投票时间为股 东大会召开当日的交易 ...

第五届监事会第十二次会议决议公告 本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）第五届监事会第十二次会议 于 2025 年 11 月 30 日以书面、邮件、电话等方式发出通知，并于 2025 年 12 月 08 日以现场方式召开。本次会议应到监事 3 人，实到监事 3 人，本次会议由监 事会主席刘志红先生主持，本次监事会的召开符合《中华人民共和国公司法》和 《斯达半导体股份有限公司章程》的规定。经与会监事认真审议，以记名投票表 决方式一致通过以下决议： 一、审议并通过了《关于取消监事会、变更公司注册资本、修订<公司章程> 并办理工商变更登记的议案》。 证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2025-041 斯达半导体股份有限公司 特此公告。 斯达半导体股份有限公司监事会 2025 年 12 月 08 日 1 表决结果：3 票同意、0 票反对、0 票弃权。 ...

证券代码：603290 证券简称：斯达半导 公告编号：2025-040 斯达半导体股份有限公司 第五届董事会第十二次会议决议公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 斯达半导体股份有限公司（以下简称"公司"）第五届董事会第十二次会议 于 2025 年 11 月 30 日以书面、邮件、电话等方式发出通知，并于 2025 年 12 月 08 日以现场和通讯结合的方式召开。本次会议应到董事 7 人，实到董事 7 人， 本次会议由董事长沈华先生主持，本次董事会的召开符合《中华人民共和国公司 法》和《斯达半导体股份有限公司章程》的规定。经与会董事认真审议，以记名 投票表决方式一致通过以下决议： 一、审议并通过了《关于取消监事会、变更公司注册资本、修订<公司章程> 并办理工商变更登记的议案》。 2.02《关于修订<董事会议事规则>的议案》 表决结果：赞成 7 票、反对 0 票、弃权 0 票。 2.03《关于修订<独立董事工作制度>的议案》 表决结果：赞成 7 票、反对 0 票、弃权 0 票。 表决结果：同意 7 票，反对 0 ...

近日，全球半导体巨头安森美（onsemi）宣布与英诺赛科达成深度合作，双方将依托英诺赛科领先的8 英寸硅基GaN工艺平台，联合开发下一代高效功率器件；而早在今年8月，英诺赛科已作为唯一中国芯 片企业，跻身英伟达800V直流电源架构合作伙伴名录，为其AI数据中心提供全链路氮化镓解决方案， 助力单机柜功率密度突破300kW。 国际巨头争相与中国技术领军者牵手，预示着一场深刻的产业变局正在上演。 从被动跟随到被主动选择，从技术依赖到反向赋能，近年来发生的行业热点与产业动态，共同指向了一 个无可争议的趋势：在支撑新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等未来产业的核心硬件——功率半导 体赛道上，中国企业正以前所未有的速度和力度完成"逆袭"，从全球产业的边缘走向舞台中央。 回顾过往，过去几十年来，中国半导体产业长期深陷高端依赖进口、核心技术缺失的困境，功率半导体 领域尤为突出，关键器件的供应长期被国际巨头把持，产业发展受制于人。 然而，近年来，随着全球贸易格局演变，叠加国内自主可控战略与国产替代浪潮的深入推进，中国半导 体行业迎来加速突破的关键期，在多个细分赛道实现突破。其中，功率半导体作为支撑众多战略性新兴 产业的核心器件 ...

Core Viewpoint - The article highlights the significant transformation in the global semiconductor industry, particularly in the power semiconductor sector, where Chinese companies are rapidly advancing from a position of dependency to becoming key players in the global market [1][2][3]. Group 1: Industry Dynamics - Onsemi and Innoscience have formed a deep collaboration to develop next-generation efficient power devices based on Innoscience's 8-inch silicon-based GaN technology, indicating a shift in global partnerships towards Chinese technology leaders [1][3]. - The global power semiconductor giants are increasingly engaging in comprehensive collaborations with Chinese firms, including joint R&D and supply chain integration, reflecting a recognition of China's industrial strength [2][8]. - The power semiconductor sector is identified as a leading area for China's semiconductor industry to achieve breakthroughs, supported by a growing number of domestic companies emerging in this field [2][9]. Group 2: Market Opportunities - The global market for GaN power semiconductors is projected to reach approximately $2.9 billion by 2030, with a compound annual growth rate of 42% from 2024 to 2030, highlighting the growth potential in this segment [3][12]. - The Chinese power semiconductor market is expected to reach 105.775 billion yuan in 2024, maintaining its position as the largest consumer market globally, with a significant increase in domestic production rates [11][12]. - The domestic market for low-end power devices has surpassed 80% in localization, with expectations for SiC manufacturers' market share to increase by 10-15 percentage points this year [11][12]. Group 3: Technological Advancements - Innoscience has become the first global company to achieve mass production of 8-inch GaN wafers, with a market share exceeding 42.4% in 2024, showcasing its technological and production capabilities [12]. - Chinese companies have made significant advancements in SiC substrate and epitaxial wafer technologies, with Tianyu Semiconductor leading in market share for carbon silicon epitaxial wafers [11][12]. - The collaboration between international firms and Chinese manufacturers is evolving from technology licensing to joint R&D and supply chain binding, indicating a deeper integration of Chinese firms into the global semiconductor ecosystem [8][9]. Group 4: Strategic Collaborations - STMicroelectronics and Sanan Optoelectronics are collaborating to build a SiC manufacturing facility in Chongqing, with an expected investment of approximately 23 billion yuan, marking a significant step in localizing SiC production [5][6]. - Infineon has established long-term supply agreements with domestic SiC substrate manufacturers to secure competitive materials for its semiconductor production, further integrating Chinese suppliers into its supply chain [6][7]. - Other international companies, such as ROHM and Panasonic, are also forming strategic partnerships with Chinese firms to enhance their product offerings and market reach in the power semiconductor sector [7][8]. Group 5: Future Outlook - The article emphasizes that the rise of China's power semiconductor industry is not coincidental but a result of multiple factors, including strong market demand, strategic opportunities in third-generation semiconductors, and supportive policies [12][13][14]. - The industry is transitioning from a focus on domestic market replacement to actively participating in global competition, with Chinese firms expanding their international presence and capabilities [14][15]. - The future competition in the power semiconductor sector will hinge on technological endurance, ecosystem development, and global operational capabilities, as Chinese companies aim to lead in key areas like SiC and GaN [15][16].